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1. (WO2011105530) 炭素膜積層体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105530    国際出願番号:    PCT/JP2011/054243
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 25.02.2011
IPC:
C23C 16/26 (2006.01), C01B 31/04 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1,Kasumigaseki 1-chome,Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASEGAWA Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIHARA Masatou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOGA Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIM Jaeho [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUGAWA Kazuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IIJIMA Sumio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HASEGAWA Masataka; (JP).
ISHIHARA Masatou; (JP).
KOGA Yoshinori; (JP).
KIM Jaeho; (JP).
TSUGAWA Kazuo; (JP).
IIJIMA Sumio; (JP)
優先権情報:
2010-041419 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) CARBON FILM LAMINATE
(FR) STRATIFIÉ DE FILM DE CARBONE
(JA) 炭素膜積層体
要約: front page image
(EN)Disclosed is a carbon film laminate in which a graphene having a larger crystal size is deposited. The carbon film laminate has solved the problem of conventional graphene film formation by thermal CVD that uses a copper film as a substrate, namely the problem of small crystal size. Specifically disclosed is a carbon film laminate which comprises: a sapphire (0001) single crystal substrate having a surface that is composed of a terrace surface, which is flat on the atomic level, and an atomic layer step; a copper (111) single crystal thin film that is epitaxially grown on the substrate; and a graphene that is deposited on the copper (111) single crystal thin film. In this laminate, a graphene having a large crystal size can be formed.
(FR)L'invention concerne un stratifié de film de carbone dans lequel un graphène ayant une taille de cristal supérieure est déposé. Le stratifié de film de carbone a résolu le problème de la formation classique de film de graphène par CVD thermique qui utilise un film de cuivre comme substrat, à savoir le problème de la petite taille de cristal. De façon spécifique, l'invention concerne un stratifié de film de carbone qui comprend : un substrat monocristallin de saphir (0001) ayant une surface qui est composée d'une surface de terrasse, qui est plate au niveau atomique, et un étage de couche atomique ; un film mince monocristallin de cuivre (111) qui a subi une croissance de manière épitaxiale sur le substrat ; et un graphène qui est déposé sur le film mince monocristallin de cuivre (111). Dans ce stratifié, un graphène ayant une grande taille de cristal peut être formé.
(JA) 従来の銅箔を基板に用いた熱CVDによるグラフェン成膜の課題である、結晶サイズが小さいという問題を解決し、より結晶サイズの大きなグラフェンが堆積された炭素膜積層体を提供することを目的とするものであって、原子レベルで平坦なテラス面と原子層ステップからなる表面を有するサファイア(0001)単結晶基板と、基板上にエピタキシャル成長させて形成した銅(111)単結晶薄膜と、銅(111)単結晶薄膜上に堆積されたグラフェンとを備える炭素膜積層体とすることにより、結晶サイズの大きなグラフェンの作成が可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)