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1. (WO2011105417) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105417    国際出願番号:    PCT/JP2011/053951
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 23.02.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
BABA Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: BABA Hideaki; (JP)
代理人: KADOYA Hiroshi; c/o SANYO Electric Co., Ltd. 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
優先権情報:
2010-037971 23.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solar cell, of which the open circuit voltage can be increased without relying on the decrease in rebinding in crystalline silicon. Specifically disclosed is a solar cell (10) comprising a crystalline Si layer (50) having a pn junction and a semiconductor layer (60) formed on a first main surface (50as) of the crystalline Si layer (50). The semiconductor layer (60) has the same conduction type as that of a part of the crystalline Si layer (50) which is in contact with the semiconductor layer (60). The open circuit voltage applied to the solar cell (10) upon the irradiation with light is different from the difference between the quasi Fermi level of electrons and the quasi Fermi level of holes in the crystalline Si layer (50).
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire dont la tension en circuit ouvert peut être accrue sans compter sur la diminution de reformation de liaison dans du silicium cristallin. L'invention concerne spécifiquement une cellule solaire (10) comprenant une couche de Si cristallin (50) ayant une jonction pn et une couche semi-conductrice (60) formée sur une première surface principale (50as) de la couche de Si cristallin (50). La couche semi-conductrice (60) a le même type de conductivité que celui d'une partie de la couche de Si cristallin (50) qui est en contact avec la couche semi-conductrice (60). La tension en circuit ouvert appliquée à la cellule solaire (10) lors d'une exposition à la lumière est différente de la différence entre le quasi niveau de Fermi d'électrons et le quasi niveau de Fermi de trous dans la couche de Si cristallin (50).
(JA)【課題】結晶シリコンにおける再結合の低減に依存せずに開放電圧を増大し得る太陽電池を提供する。 【解決手段】、太陽電池10は、pn接合を有する結晶Si層50と、結晶Si層50の第1主面50as上に形成された半導体層60とを備える。半導体層60は、結晶Si層50の半導体層60と接触している部分の導電型と同じ導電型を有する。太陽電池10への光照射時の開放電圧は、結晶Si層50内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)