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1. (WO2011105317) 弾性波デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105317    国際出願番号:    PCT/JP2011/053631
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 21.02.2011
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01)
出願人: TAIYO YUDEN CO.,LTD. [JP/JP]; 16-20, Ueno 6-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIURA ,michio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WARASHINA ,suguru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUDA ,takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUDA ,satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE ,kazunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIURA ,michio; (JP).
WARASHINA ,suguru; (JP).
MATSUDA ,takashi; (JP).
MATSUDA ,satoru; (JP).
INOUE ,kazunori; (JP)
優先権情報:
2010-043035 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 弾性波デバイスおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an acoustic wave device that allows the film thickness of an IDT electrode to be made thicker while suppressing unwanted wave responses. The acoustic wave device is equipped with: a piezoelectric substrate (2); an IDT electrode (3) containing multiple electrode fingers arranged in a line on the piezoelectric substrate (2); a first dielectric film (4) formed between the multiple electrode fingers; a second dielectric film (7) covering the IDT electrode (3) and the first dielectric film (4); and a high-velocity layer (5), which is a medium with a higher velocity than the first dielectric film (4), and which is formed between the multiple electrode fingers on the first dielectric layer (4).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques qui permet d'augmenter l'épaisseur de film d'une électrode IDT tout en supprimant des réponses d'onde non voulues. Le dispositif à ondes acoustiques comprend : un substrat piézoélectrique (2) ; une électrode IDT (3) contenant de multiples doigts d'électrode disposés en une ligne sur le substrat piézoélectrique (2) ; un premier film diélectrique (4) formé entre les multiples doigts d'électrode ; un second film diélectrique (7) couvrant l'électrode IDT (3) et le premier film diélectrique (4) ; et une couche à grande vitesse (5), qui est un milieu ayant une vitesse plus élevée que celle du premier film diélectrique (4) et qui est formée entre les multiples doigts d'électrode sur la première couche diélectrique (4).
(JA)【課題】本発明は、不要波応答を抑圧しつつ、IDT電極の膜厚を厚くすることが可能な弾性波デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に並んで配置される複数の電極指を含むIDT電極3と、複数の電極指間に形成される第1の誘電体膜4と、IDT電極3と第1の誘電体膜4を覆う第2の誘電体膜7と、複数の電極指間であって第1の誘電体膜4上に形成される、第1の誘電体4より高音速の媒質である高音速層5とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)