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1. (WO2011105316) 弾性波デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105316    国際出願番号:    PCT/JP2011/053630
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 21.02.2011
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01)
出願人: TAIYO YUDEN CO.,LTD. [JP/JP]; 16-20, Ueno 6-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUDA ,satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIURA ,michio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUDA ,takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUDA ,satoru; (JP).
MIURA ,michio; (JP).
MATSUDA ,takashi; (JP)
優先権情報:
2010-042663 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波デバイス
要約: front page image
(EN)In order to reduce unwanted vibrations in an acoustic wave device caused by a transverse mode, the acoustic wave device (1) is equipped with a substrate (2), a dielectric film (4) formed on the substrate (2), and IDT electrodes (3a, 3b) disposed between the substrate (2) and the dielectric film (4). The substrate (2) and/or the dielectric film (4) is a piezoelectric body; the IDT electrodes (3a, 3b) include electrode fingers (3a-2, 3b-2) which extend in a perpendicular direction to the direction of propagation of the acoustic waves; and the thickness of the dielectric film (4) changes in gaps between the leading edge of the electrode fingers to the opposing IDT electrodes in the direction in which the aforementioned electrode fingers extend.
(FR)Afin de réduire des vibrations non souhaitées dans un dispositif à ondes acoustiques provoquées par un mode transversal, le dispositif à ondes acoustiques (1) est équipé d'un substrat (2), d'un film diélectrique (4) formé sur le substrat (2) et d'électrodes IDT (3a, 3b) disposées entre le substrat (2) et le film diélectrique (4). Le substrat (2) et/ou le film diélectrique (4) forment un corps piézoélectrique ; les électrodes IDT (3a, 3b) comprennent des doigts d'électrode (3a-2, 3b-2) qui s'étendent dans une direction perpendiculaire à la direction de propagation des ondes acoustiques ; et l'épaisseur du film diélectrique (4) change dans des interstices entre le bord d'attaque des doigts d'électrode et les électrodes IDT opposées dans la direction dans laquelle les doigts d'électrode mentionnés ci-dessus s'étendent.
(JA)【課題】弾性波デバイスにおける横モードによる不要振動を低減する【解決手段】弾性波デバイス1は、基板2と、基板2上に形成された誘電体膜4と、基板2と誘電体膜4との間に設けられるIDT電極3a、3bとを備える。基板2および誘電体膜4の少なくとも一方が圧電体であり、IDT電極3a、3bは、弾性波の伝播方向に垂直な方向に延びて形成される電極指3a-2、3b-2を含み、電極指の先端から、前記電極指の延びる方向において対向するIDT電極までの間のギャップ部において、誘電体膜4の膜厚が変化している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)