WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011105283) 球状化合物半導体セル、太陽電池モジュール、及び、それらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105283    国際出願番号:    PCT/JP2011/053407
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 17.02.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAITO Hiroto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIMOTO Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAITO Hiroto; (JP).
YOSHIMOTO Naoki; (JP)
代理人: ISONO Michizo; c/o Isono International Patent Office, Sabo Kaikan Annex, 7-4, Hirakawa-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
優先権情報:
2010-041243 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SPHERICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SPHERICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR CELL AND THE SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SPHÉRIQUE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, MODULE DE CELLULES SOLAIRES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE LA CELLULE SPHÉRIQUE À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET DU MODULE DE CELLULES SOLAIRES
(JA) 球状化合物半導体セル、太陽電池モジュール、及び、それらの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a spherical compound semiconductor cell wherein a compound semiconductor film that can suppress recombination and a leak current is sued. The spherical compound semiconductor cell is provided with: a spherical electrode (1), having at least the surface thereof formed of a conductor; a compound semiconductor layer (2), which is formed on the surface of the spherical electrode (1), and which has a chalcopyrite structure; buffer layers (3, 4) formed on the surface of the compound semiconductor layer (2); and a transparent electrode layer (5) formed on the surfaces of the buffer layers (3, 4). In the spherical compound semiconductor cell, recombination and a leak current are suppressed, and photoelectric conversion efficiency is increased by having the cell structure provided with the buffer layers (3, 4).
(FR)L'invention concerne une cellule sphérique à semi-conducteur composé dans laquelle un film de semi-conducteur composé qui peut supprimer la recombinaison et le courant de fuite est déposé. Cette cellule comporte : une électrode sphérique (1), dont au moins la surface est constituée d'un conducteur ; une couche de semi-conducteur composé (2), qui est formée sur la surface de l'électrode sphérique (1), et qui a une structure chalcopyrite ; des couches tampons (3, 4) formées sur la surface de la couche de semi-conducteur composé (2) ; et une couche d'électrode transparente (5) formée sur les surfaces des couches tampons (3, 4). La cellule sphérique à semi-conducteur composé présente une efficacité de conversion photoélectrique augmentée grâce aux couches tampons (3, 4).
(JA) 本発明は、再結合及びリーク漏れ電流を抑制できる化合物半導体膜を用いた球状の化合物半導体セルを提供することを目的とする。本発明の球状化合物半導体セルは、少なくとも表面が導電体である球状電極1と、球状電極1の表面に形成されたカルコパイライト構造の化合物半導体層2と、化合物半導体層2の表面に形成された緩衝層3,4と、緩衝層3,4の表面に形成された透明電極層5を具備することを特徴とする。緩衝層3,4を具備したセル構造とすることで、再結合またはリーク漏れ電流を抑制し光電変換効率が増加する球状化合物半導体セルとすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)