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1. (WO2011105282) 配線形成方法、および、半導体基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105282    国際出願番号:    PCT/JP2011/053406
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 17.02.2011
IPC:
H01L 21/3213 (2006.01), C23F 1/38 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHHIRA SHINYA; (米国のみ)
発明者: OHHIRA SHINYA;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2010-040795 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING CONDUCTOR TRACES AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE PISTES CONDUCTRICES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 配線形成方法、および、半導体基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming conductor traces. The method includes the steps of: depositing a metallic thin film (12) of copper (Cu) on a glass substrate (11) serving as a base; forming an insulating film or a Cu-free metallic insulating film (131) on the metallic thin film (12); patterning a photoresist (14) by photolithography on the insulating film (131); etching a liner film (13) by isotropic dry etching using the photoresist (14) as an etching mask; and after the etching of the liner film (13), removing the photoresist (14), and then removing part of the metallic thin film (12) by isotropic wet etching using the liner film (13) as an etching mask, thereby forming metallic conductor traces (12a).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de pistes conductrices. Le procédé comprend les étapes consistant à : déposer un film mince métallique (12) en cuivre (Cu) sur un substrat de verre (11) servant de base ; former un film isolant ou un film isolant métallique sans Cu (131) sur le film mince métallique (12) ; façonner une résine photosensible (14) par photolithographie sur le film isolant (131) ; graver un film de revêtement (13) par gravure sèche isotrope en utilisant la résine photosensible (14) comme masque de gravure ; et après la gravure du film de revêtement (13), retirer la résine photosensible (14), puis retirer une partie du film mince métallique (12) par gravure humide isotrope en utilisant le film de revêtement (13) comme masque de gravure, pour former ainsi des pistes conductrices métalliques (12a).
(JA) 本発明の配線形成方法は、基材としてのガラス基板(11)上にCuを含む金属薄膜(12)を成膜する工程と、金属薄膜(12)上に、絶縁膜またはCuを含まない金属膜である絶縁膜(131)を形成する工程と、絶縁膜(131)上に、フォトリソグラフィーを用いてフォトレジスト(14)をパターニングする工程と、等方性のドライエッチングを用いて、フォトレジスト(14)をエッチングマスクとしてライナー膜(13)をエッチングする工程と、ライナー膜(13)のエッチング後、フォトレジスト(14)を除去し、ライナー膜(13)をエッチングマスクとして等方性のウエットエッチングを行い、金属薄膜(12)を部分的に除去し、金属配線(12a)を形成する工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)