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1. (WO2011105251) 紫外線センサ、およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105251    国際出願番号:    PCT/JP2011/053130
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 15.02.2011
IPC:
H01L 31/108 (2006.01)
出願人: NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 2-20, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1408628 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHNIC Inc. [JP/JP]; 1361, Akabane, Chigasaki-shi, Kanagawa 2530001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEDA Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HINO Harumichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARAI Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OBINATA Mitsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASAKI Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEDA Satoshi; (JP).
HINO Harumichi; (JP).
ARAI Naoki; (JP).
OBINATA Mitsugu; (JP).
MASAKI Susumu; (JP)
代理人: AKAZAWA, Hideo; Ohtani Bldg. 3F, 37-10, Nakano 3-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640001 (JP)
優先権情報:
2010-038512 24.02.2010 JP
発明の名称: (EN) ULTRAVIOLET SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DÉTECTEUR D'ULTRAVIOLETS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 紫外線センサ、およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an ultraviolet sensor which is provided with: a gallium oxide single crystal substrate (11) having, as a light receiving surface (12r), an orthogonally intersecting surface (41), which orthogonally intersects the growing direction of a gallium oxide single crystal, or a surface tilted at a predetermined angle from the orthogonally intersecting surface (41); an ohmic electrode (13), which is formed on the first surface of the gallium oxide single crystal substrate (11); and a Schottky electrode (12), which is formed on the second surface of the gallium oxide single crystal substrate (11), said Schottky electrode including the light receiving surface (12r).
(FR)L'invention concerne un détecteur d'ultraviolets qui est équipé d'un substrat monocristallin d'oxyde de gallium (11) comportant, comme surface de réception de lumière (12r), une surface d'intersection orthogonale (41) qui coupe orthogonalement la direction de croissance d'un monocristal d'oxyde de gallium, ou une surface inclinée d'un angle prédéterminé par rapport à la surface d'intersection orthogonale (41) ; une électrode ohmique (13) qui est formée sur la première surface du substrat monocristallin d'oxyde de gallium (11) ; et une électrode Schottky (12) qui est formée sur la deuxième surface du substrat monocristallin d'oxyde gallium (11), ladite électrode Schottky comprenant la surface de réception de lumière (12r).
(JA) 酸化ガリウム単結晶の成長方向に対して直交する直交面41または該直交面41から所定の角度傾斜した面を受光面12rとする酸化ガリウム単結晶基板11と、酸化ガリウム単結晶基板11の第1表面に形成されたオーミック電極13と、受光面12rを含む酸化ガリウム単結晶基板11の第2表面に形成されたショットキー電極12とを備えた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)