WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011105166) 光電変換モジュール及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105166    国際出願番号:    PCT/JP2011/051729
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 28.01.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUMOTO Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUMOTO Mitsuhiro; (JP)
代理人: KADOYA Hiroshi; c/o SANYO Electric Co., Ltd., 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
優先権情報:
2010-038467 24.02.2010 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換モジュール及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device that includes a fine crystal silicon layer as a power generating layer, wherein an open voltage is improved without deteriorating a fill factor. The photoelectric conversion device is provided with a multilayer structure configured of a p-type layer (40) containing a p-type dopant, an i-type layer (42) containing the fine crystal silicon layer to be the power generating layer, and an n-type layer (44) containing an n-type dopant. The i-type layer (42) is provided between the p-type layer (40) and the n-type layer (44), and has a structure which is provided with a fine crystal silicon carbide layer (42a) having a film thickness of 50-300 nm.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique qui comprend une fine couche de silicium cristallin en tant que couche de génération de puissance, une tension en circuit ouvert étant améliorée sans détérioration d'un facteur de remplissage. Le dispositif de conversion photoélectrique est pourvu d'une structure multicouche constituée d'une couche du type p (40) contenant un dopant du type p, d'une couche du type i (42) contenant la fine couche de silicium cristallin devant être la couche de génération de puissance, et d'une couche du type n (44) contenant un dopant du type n. La couche du type i (42) est placée entre la couche du type p (40) et la couche du type n (44), et présente une structure qui comprend une fine couche de carbure de silicium cristallin (42a) ayant une épaisseur de couche de 50 à 300 nm.
(JA)【課題】微結晶シリコン層を発電層として含む光電変換装置において、フィルファクタを 低下させることなく、開放電圧を向上させる。 【解決手段】p型ドーパントを含むp型層40、発電層となる微結晶シリコン層を含むi 型層42及びn型ドーパントを含むn型層44の積層構造を備え、i型層42は、p型層 40とn型層44との間に設けられ、50nm以上300nm以下の膜厚を有する微結晶 炭化シリコン層42aを備える構造とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)