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1. (WO2011105163) プラズマ成膜装置及び方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105163    国際出願番号:    PCT/JP2011/051689
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 28.01.2011
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/507 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWANO Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA Toshihito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUKURA Akihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMIYAMA Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWANO Yuichi; (JP).
FUJIWARA Toshihito; (JP).
MATSUKURA Akihiko; (JP).
KAMIYAMA Takuya; (JP).
YAMAMOTO Tetsuya; (JP)
代理人: MITSUISHI Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office, 9-15, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2010-042554 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) PLASMA FILM-FORMING APPARATUS AND PLASMA FILM-FORMING METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM PAR PLASMA
(JA) プラズマ成膜装置及び方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are a plasma film-forming apparatus and a plasma film-forming method, whereby uniformity of film thickness is improved. In the case of forming a film on a substrate (W) by having raw material gases in the plasma state and having the gases in the plasma state react with each other, the radius (R2) of an electrode (11) that applies bias to the substrate (W) is made larger than the radius (R1) of the substrate (W) in the plasma film-forming apparatus that applies the bias to the substrate (W).
(FR)L'invention porte sur un appareil de fabrication de film par plasma et sur un procédé de fabrication de film par plasma, grâce auxquels l'uniformité d'épaisseur de film est améliorée. Dans le cas de la fabrication d'un film sur un substrat (W) en amenant des matières premières gazeuses dans l'état plasma et en amenant les gaz dans l'état plasma à réagir les uns avec les autres, le rayon (R2) d'une électrode (11) qui applique une polarisation au substrat (W) est rendu plus grand que le rayon (R1) du substrat (W) dans l'appareil de fabrication de film par plasma qui applique la polarisation au substrat (W).
(JA) 膜厚の均一性を向上させることができるプラズマ成膜装置及び方法を提供する。そのため、原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の原料ガス同士を反応させて、基板(W)上に成膜を行う際、基板(W)にバイアスを印加するプラズマ成膜装置において、基板(W)にバイアスを印加する電極(11)の半径(R2)を、基板(W)の半径(R1)より大きくした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)