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1. (WO2011105136) 半導体レーザ装置及び光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105136    国際出願番号:    PCT/JP2011/050955
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 20.01.2011
IPC:
H01S 5/022 (2006.01)
出願人: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORI Kazushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORI Kazushi; (JP)
代理人: KADOYA Hiroshi; c/o SANYO Electric Co., Ltd.,5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
優先権情報:
2010-039519 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF OPTIQUE
(JA) 半導体レーザ装置及び光装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor laser device that makes it possible to decrease the size of a package that has three semiconductor laser elements. In said semiconductor laser device (100), a first lead (T1) is electrically connected to: an n-side electrode (n12) for a first semiconductor laser element (LD1) and a second semiconductor laser element (LD2); and a p-side electrode (p3) for a third semiconductor laser element (LD3). A second lead (T2) is electrically connected to a p-side electrode (p1) for the first semiconductor laser element (LD1). A third lead (T3) is electrically connected to a p-side electrode (p2) for the second semiconductor laser element (LD2) and an n-side electrode (n3) for the third semiconductor laser element (LD3).
(FR)La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur qui permet de réduire la taille d'un boîtier qui comporte trois éléments lasers à semi-conducteur. Dans ledit dispositif laser à semi-conducteur (100), un premier fil (T1) est connecté électriquement à : une électrode côté n (n12) pour un premier élément laser à semi-conducteur (LD1) et un deuxième élément laser à semi-conducteur (LD2) ; et une électrode côté p (p3) pour un troisième élément laser à semi-conducteur (LD3). Un deuxième fil (T2) est connecté électriquement à une électrode côté p (p1) pour le premier élément laser à semi-conducteur (LD1). Un troisième fil (T3) est connecté électriquement à une électrode côté p (p2) pour le deuxième élément laser à semi-conducteur (LD2) et une électrode côté n (n3) pour le troisième élément laser à semi-conducteur (LD3).
(JA)【課題】3つの半導体レーザ素子を搭載するパッケージを小型化することができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100においては、第1のリードT1は、第1の半導体レーザ素子LD1及び第2の半導体レーザ素子LD2のn側電極n12と、第3の半導体レーザ素子LD3のp側電極p3とに電気的に接続されている。また、第2のリードT2は、第1の半導体レーザ素子LD1のp側電極p1に電気的に接続されており、第3のリードT3は、第2の半導体レーザ素子LD2のp側電極p2、及び、第3の半導体レーザ素子LD3のn側電極n3に電気的に接続されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)