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1. (WO2011105102) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105102    国際出願番号:    PCT/JP2011/001101
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 25.02.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IWATA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOMITA, Kanako [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IWATA, Yasushi; (JP).
TOMITA, Kanako; (JP)
代理人: MORI, Tetsuya; Tokkyo Gyomu Hojin Nichiei Kokusai Tokkyo Jimusho, Yusen Iwamotocho Bldg. 8th Floor, 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
優先権情報:
2010-039816 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SOLAR BATTERY
(FR) BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solar battery using silicon semiconductor, having a high quantum-conversion efficiency, requiring few production processes during manufacturing, and capable of being recycled in view of environmental load and material recycling. Specifically, the solar battery has a basic structure of a P-SN-N junction in which miniaturized silicon clusters are interposed in a P-N junction, and includes a quantum dot layer having a multiple energy level structure of which energy level is between that of a valence band and that of a conduction band. The quantum dot layer includes a periodic array of silicon quantum dots formed of silicon clusters of which average grain diameter is 2.5 nm or less and the distance between the quantum dots of which is 1 nm or less.
(FR)L'invention porte sur une batterie solaire qui utilise du silicium semi-conducteur, qui présente un rendement de conversion quantique élevé, qui nécessite peu de traitements de production pendant la fabrication, et qui peut être recyclé afin d'alléger la charge sur l'environnement et d'améliorer le recyclage de matériau. Plus précisément, la batterie solaire présente une structure basique constituée d'une jonction P-SN-N dans laquelle des amas de silicium miniaturisés sont intercalés dans une jonction P-N, et comprend une couche de points quantiques ayant une structure à multiples niveaux d'énergie dont le niveau d'énergie est compris entre celui d'une bande de valence et celui d'une bande de conduction. La couche de points quantiques comprend un réseau périodique de points quantiques en silicium formé d'amas de silicium dont le diamètre de grain moyen est d'au plus 2,5 nm, la distance entre les points quantiques du réseau étant d'au plus 1 nm.
(JA) 高い量子変換効率を有し、製造時の生産工程数が少なく、環境負荷や材料再生の面からリサイクル可能な、シリコン半導体を用いた太陽電池を提供する。そのために、本発明のある実施形態に係る太陽電池は、P-N接合間に微細化シリコンクラスターを挿間したP―SN―N接合を基本的な構造とし、価電子帯のエネルギー準位と伝導帯のエネルギー準位との間のエネルギー準位を有する多重エネルギー準位構造を備えた量子ドット層を備え、該量子ドット層は、平均粒径が2.5nm以下で、かつ量子ドット間距離が1nm以下のシリコンクラスターからなるシリコン量子ドットを周期配列して構成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)