WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011105060) 不揮発性メモリ装置の製造方法、不揮発性メモリ素子、および不揮発性メモリ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105060    国際出願番号:    PCT/JP2011/001001
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 23.02.2011
予備審査請求日:    26.08.2011    
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WEI, Zhiqiang; (米国のみ).
TAKAGI, Takeshi; (米国のみ).
IIJIMA, Mitsuteru; (米国のみ)
発明者: WEI, Zhiqiang; .
TAKAGI, Takeshi; .
IIJIMA, Mitsuteru;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2010-036790 23.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性メモリ装置の製造方法、不揮発性メモリ素子、および不揮発性メモリ装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method, whereby a nonvolatile memory device having a stable memory performance can be manufactured with a simple process. The method includes: a step wherein a laminated structure is formed by alternately laminating, on a substrate (11), a plurality of conductive layers (13) containing a transition metal, and a plurality of interlayer insulating films (17) composed of an insulating material; a step wherein a contact hole, which penetrates the laminated structure and exposes parts of the respective conductive layers (13) is formed; a step wherein the conductive layer (13) parts exposed in the contact hole are oxidized, and variable-resistance layers (14) wherein resistance values reversibly change on the basis of electrical signals transmitted thereto are formed; and a step wherein a conductive material is embedded in the contact hole, and a columnar electrode (12) connected to the variable-resistance layers (14) is formed in the contact hole.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer simplement un dispositif de mémoire non volatile ayant des performances de mémoire stables. Le procédé consiste à former une structure stratifiée en laminant alternativement, sur un substrat (11), une pluralité de couches conductrices (13) contenant un métal de transition, et une pluralité de films isolants intercalaires (17) composés d'un matériau isolant ; former un trou de contact qui pénètre dans la structure stratifiée et expose des parties des couches conductrices (13) respectives ; oxyder les parties des couches conductrices (13) exposées dans le trou de contact, et former des couches à résistance variable (14) dans lesquelles les valeurs de résistance évoluent de façon réversible en fonction des signaux électriques qui leur sont transmis ; et introduire un matériau conducteur dans le trou de contact, et former une électrode colonnaire (12) reliée aux couches à résistance variable (14) dans le trou de contact.
(JA) プロセスが簡素で、安定したメモリ性能を有する不揮発性メモリ装置を製造することができる製造方法は、基板(11)上に、遷移金属を含む複数の導電層(13)と絶縁材料で構成される複数の層間絶縁膜(17)とを交互に積層して積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体を貫通し、かつ導電層(13)の一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、導電層(13)の前記コンタクトホール中に露出した部分を酸化して、与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(14)を形成する工程と、前記コンタクトホールに導電材料を埋め込んで、前記コンタクトホール中に抵抗変化層(14)に接続する柱状電極(12)を形成する工程と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)