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1. (WO2011105010) 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/105010    国際出願番号:    PCT/JP2011/000462
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 28.01.2011
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MASUMURA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MASUMURA, Hisashi; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2010-040313 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUPPORT SUSCEPTOR FOR VAPOR-PHASE EPITAXY, EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING DEVICE, AND EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) SUSCEPTEUR DE SUPPORT DE SUBSTRAT À SEMI-CONDUCTEUR POUR ÉPITAXIE EN PHASE VAPEUR, DISPOSITIF DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a susceptor that supports a semiconductor substrate during vapor-phase epitaxy. Said susceptor is provided with a counterbore in which the semiconductor substrate is placed. The top surface of the susceptor has a tapered section tapered up or down outwards from the edge of the counterbore. By thereby controlling the epitaxial layer thickness around the edge of a principal surface of an epitaxial wafer, the disclosed susceptor can make the epitaxial wafer flatter. Also disclosed is an epitaxial wafer manufacturing device using the disclosed susceptor.
(FR)La présente invention concerne un suscepteur qui supporte un substrat à semi-conducteur au cours d'une épitaxie en phase vapeur. Ledit suscepteur est pourvu d'un contre-alésage dans lequel le substrat à semi-conducteur est positionné. La surface supérieure du suscepteur comporte une section effilée vers le haut ou vers le bas vers l'extérieur à partir du bord du contre-alésage. En contrôlant ainsi l'épaisseur de couche épitaxiale autour du bord d'une surface principale d'une tranche épitaxiale, le suscepteur décrit peut aplatir la tranche épitaxiale. La présente invention concerne également un dispositif de fabrication de tranche épitaxiale qui utilise le suscepteur décrit.
(JA) 本発明は、気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記半導体基板が配置される座ぐり部を備え、前記座ぐり部の端から外側に向かって、前記サセプタの上面が上方または下方に傾斜するテーパーが形成されたテーパー部を有するものであることを特徴とする気相成長用半導体基板支持サセプタである。これによってエピタキシャルウェーハ主表面側の周辺部のエピタキシャル層の層厚を制御することによってエピタキシャルウェーハの平坦性を向上させることができる気相成長の際に半導体基板を支持するためのサセプタと、このサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造装置が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)