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1. (WO2011104970) エッチング装置、制御シミュレータ、及び半導体装置製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104970    国際出願番号:    PCT/JP2010/071733
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 03.12.2010
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORISAWA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRAISHI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Satomi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAGOSHIMA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORISAWA, Toshihiro; (JP).
SHIRAISHI, Daisuke; (JP).
INOUE, Satomi; (JP).
KAGOSHIMA, Akira; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2010-041975 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) ETCHING DEVICE, CONTROL SIMULATOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE, SIMULATEUR DE COMMANDE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エッチング装置、制御シミュレータ、及び半導体装置製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an etching device that computes a plurality of actuator values (X) from emission intensity values (Y) for a plurality of wavelengths, on the basis of a model that determines the Y values from the X values, and performs run-to-run control suited to the Y values. In the disclosed etching device, the relationship between actuator values (X) and emission intensity values (Y) is defined by a control model (a matrix model (C1), a proportional constraint model (C2)) based on an algebraic function taking ΔX as the input and outputting ΔY. Etching control consists of repeating the following steps to etch each wafer: (S1) using an uncontrolled emission intensity value (Y), ΔX (control amount) is computed from ΔY (control amount) on the basis of the control model, and a value for X is set; (S2) the wafer is etched on the basis of the set X value, and the value of Y is monitored; and (S3) based on the history of Y, the uncontrolled emission intensity value (Y) for processing the next wafer is calculated.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de gravure qui calcule une pluralité de valeurs d'actionneur (X) à partir de valeurs d'intensité d'émission (Y) pour une pluralité de longueurs d'onde, en fonction d'un modèle qui détermine les valeurs Y à partir des valeurs X, et réalise une commande séquentielle appropriée pour les valeurs Y. Dans le dispositif de gravure décrit, la relation entre des valeurs d'actionneur (X) et des valeurs d'intensité d'émission (Y) est définie par un modèle de commande (un modèle de matrice (C1), un modèle de contrainte proportionnelle (C2)) en fonction d'une fonction algébrique qui prend ΔX en tant qu'entrée et produit ΔY. La commande de gravure consiste à répéter les étapes suivantes pour graver chaque tranche : (S1) utilisation d'une valeur d'intensité d'émission non commandée (Y), ΔX (quantité de commande) est calculé à partir de ΔY (quantité de commande) en fonction du modèle de commande, et une valeur pour X est établie ; (S2) la tranche est gravée en fonction de la valeur X établie, et la valeur de Y est surveillée ; et (S3) en fonction de l'historique de Y, la valeur d'intensité d'émission non commandée (Y) pour traiter la tranche suivante est calculée.
(JA) エッチング装置の複数アクチュエータ値Xから複数波長の発光強度値Yを求めるモデルに基づき、値Yから値Xを算出して、値Yに関する好適なRun-to-Run制御を実現する。本エッチング装置では、アクチュエータ値Xと発光強度値Yの関係が、ΔXを入力としΔYを出力とした代数的な数式に基づく制御モデル(行列モデルC1,比率制約モデルC2)として定義される。エッチング処理制御で、(S1)制御無し発光強度値Yをもとに、ΔY(制御量)から制御モデルに基づきΔX(制御量)を算出して値Xを設定する。(S2)値Xの設定値に基づきウェハのエッチング処理を行い、値Yをモニタする。(S3)値Yの実績値をもとに、次のウェハの処理で用いるための、制御無し発光強度値Yを計算する。S1~S3を各ウェハのエッチング処理で繰り返す。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)