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1. (WO2011104950) 薄膜光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104950    国際出願番号:    PCT/JP2010/070125
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 11.11.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIZUNO, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEUCHI, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSURUGA, Shigenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUI, Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Michio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
JIA, Haijun [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIZUNO, Koichi; (JP).
TAKEUCHI, Yoshiaki; (JP).
SAKAI, Satoshi; (JP).
TSURUGA, Shigenori; (JP).
MATSUI, Takuya; (JP).
KONDO, Michio; (JP).
JIA, Haijun; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; 37F The Landmark Tower Yokohama, 2-2-1, Minatomirai, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208137 (JP)
優先権情報:
2010-041074 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À FILM MINCE
(JA) 薄膜光電変換装置
要約: front page image
(EN)Provided is a highly-efficient triple-junction thin-film photoelectric conversion device in which the short-circuit current value obtained at each photoelectric conversion layer is equalized, and which has a high haze factor. A thin-film photoelectric conversion device (100) is provided with a transparent electrode layer (2) and three silicon photoelectric conversion layers (91, 92, 93), in said order, on a substrate (1). The transparent electrode layer (2) has at least one opening section (5), which exposes the surface of the substrate (1) and which was formed by means of the etching process, and a haze factor of 60% or more in relation to the light in the broad wavelength region of the transparent electrode layer (2).
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique très efficace, à film mince et à triple jonction, dans lequel la valeur du courant de court-circuit obtenue sur chaque couche de conversion photoélectrique est égalisée et qui possède un facteur de trouble élevé. Un dispositif de conversion photoélectrique à film mince (100) est pourvu d'une couche d'électrode transparente (2) et de trois couches de conversion photoélectrique de silicium (91, 92, 93), placées dans cet ordre sur un substrat (1). La couche d'électrode transparente (2) présente au moins une section d'ouverture (5), qui expose la surface du substrat (1) et qui a été formée au moyen d'un traitement de gravure, et un facteur de trouble d'au moins 60 % par rapport à la lumière dans la région de longueur d'onde large de la couche d'électrode transparente (2).
(JA) ヘイズ率が高く、各光電変換層で得られる短絡電流値が均等化された、高効率の3接合型薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。薄膜光電変換装置(100)は、基板(1)上に、透明電極層(2)と、3つのシリコン系光電変換層(91,92,93)とを順に備える。透明電極層(2)は、エッチング処理によって形成された基板(1)の表面を露出させる少なくとも1つの開口部(5)を有し、透明電極層(2)の広い波長領域の光に対するヘイズ率が、60%以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)