WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011104938) 回路基板の製造方法、回路基板及び表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104938    国際出願番号:    PCT/JP2010/069601
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 04.11.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARA Yoshihito [JP/--]; (米国のみ).
NAKATA Yukinobu [JP/--]; (米国のみ)
発明者: HARA Yoshihito; .
NAKATA Yukinobu;
代理人: YASUTOMI & Associates; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
優先権情報:
2010-037554 23.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT BOARD, CIRCUIT BOARD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 回路基板の製造方法、回路基板及び表示装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a circuit board which has improved aperture ratio. Specifically disclosed is a method for producing a circuit board which comprises a thin film transistor having an oxide semiconductor layer. The method for producing a circuit board is characterized by comprising a step wherein the oxide semiconductor layer is formed and a step wherein the oxide semiconductor layer is converted into a conductor.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une carte de circuit imprimé qui comporte un rapport d'ouverture optimisé. La présente invention concerne particulièrement un procédé de fabrication d'une carte de circuit imprimé qui comprend un transistor à film mince qui comporte une couche à semi-conducteur oxyde. Le procédé de fabrication d'une carte de circuit imprimé est caractérisé en ce qu'il comprend une étape de formation d'une couche à semi-conducteur oxyde et une étape de conversion de la couche à semi-conducteur oxyde en un conducteur.
(JA)本発明は、開口率が向上された回路基板の製造方法を提供する。本発明の回路基板の製造方法は、酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する回路基板の製造方法であって、上記製造方法は、酸化物半導体層を形成する工程、及び、酸化物半導体層を導体化処理する工程を含む回路基板の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)