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1. (WO2011104895) アクティブマトリクス表示装置及びアクティブマトリクス表示装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104895    国際出願番号:    PCT/JP2010/053513
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 04.03.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMITOMO BAKELITE CO., LTD. [JP/JP]; 5-8, Higashi-shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP) (米国を除く全ての指定国).
EGUCHI Toshimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGUCHI Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTSUKI Shigeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAMOTO Mamoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: EGUCHI Toshimasa; (JP).
YAMAGUCHI Shinya; (JP).
OTSUKI Shigeyoshi; (JP).
OKAMOTO Mamoru; (JP)
代理人: TSURUWAKA Toshio; Room 512, Nishishinjuku house, 29-4, Nishi-shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023 (JP)
優先権情報:
2010-042414 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MATRICE ACTIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリクス表示装置及びアクティブマトリクス表示装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an active matrix display device which can be prevented from deterioration of characteristics that would be caused by the influence of ultraviolet light. Specifically disclosed is an active matrix display device which comprises a thin film transistor (1) that is formed, on a plastic substrate (2), using a semiconductor layer (7), which contains a non-metal element component that is a mixture of oxygen (O) and nitrogen (N) having a ratio of the nitrogen (N) to the oxygen (O) (number density of N/number density of O) of 0-2, as a channel, said plastic substrate (2) having a light transmittance in a wavelength range from 200 nm to 320 nm of not more than 10% and light transmittances at wavelengths of 450 nm, 540 nm and 620 nm of not less than 80%. Also specifically disclosed is an active matrix display device which comprises a thin film transistor (1) that is formed, on a plastic substrate (2), using a semiconductor layer, which contains a non-metal element component that is a mixture of oxygen (O) and nitrogen (N) having a ratio of the nitrogen (N) to the oxygen (O) (number density of N/number density of O) of 0-2, as a channel, said plastic substrate (2) having light transmittances at wavelengths of 450 nm, 540 nm and 620 nm of not less than 80%, and comprising a light blocking layer (8) that has a light transmittance in a wavelength range from 200 nm to 370 nm of not more than 10%.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'affichage à matrice active dont la dégradation de caractéristiques qui pourrait être provoquée par l'action d'un rayonnement ultraviolet peut être empêchée. L'invention décrit spécifiquement un dispositif d'affichage à matrice active qui comprend un transistor à couches minces (1) qui est formé, sur un substrat en plastique (2), en utilisant une couche semi-conductrice (7) qui contient un composant à éléments non métalliques qui est un mélange d'oxygène (O) et d'azote (N) ayant un rapport de l'azote (N) sur l'oxygène (O) (nombre volumique de molécules de N/nombre volumique de molécules de O) de 0-2, à titre de canal, ledit substrat en plastique (2) ayant une transmittance optique inférieure ou égale à 10 % dans une plage de longueurs d'onde allant de 200 nm à 320 nm et des transmittances optiques supérieures ou égales à 80 % à des longueurs d'onde de 450 nm, 540 nm et 620 nm. L'invention décrit également spécifiquement un dispositif d'affichage à matrice active qui comprend un transistor à couches minces (1) qui est formé, sur un substrat en plastique (2), en utilisant une couche semi-conductrice, qui contient un composant à éléments non métalliques qui est un mélange d'oxygène (O) et d'azote (N) ayant un rapport de l'azote (N) sur l'oxygène (O) (nombre volumique de molécules de N/nombre volumique de molécules de O) de 0-2, à titre de canal, ledit substrat en plastique (2) ayant des transmittances optiques supérieures ou égales à 80 % à des longueurs d'onde de 450 nm, 540 nm et 620 nm, et comprenant une couche de blocage de lumière (8) qui a une transmittance optique inférieure ou égale à 10 % dans une plage de longueurs d'onde allant de 200 nm à 370 nm.
(JA)【課題】紫外線の影響により特性が悪化することを防止することが可能である。 【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、波長200nmから320nmにおける光線透過率が10%以下であり、波長450nm、波長540nmおよび波長620nmにおける光線透過率が80%以上であるプラスチック基板2上に、酸素(O)と窒素(N)の混合物で、酸素(O)に対する窒素(N)の比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む半導体層7をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ1を有する。また、波長200nmから370nmにおける光線透過率が10%以下である遮光層8を有し、波長450nm、波長540nmおよび波長620nmにおける光線透過率が80%以上であるプラスチック基板2上に、酸素(O)と窒素(N)の混合物で酸素(O)に対する窒素(N)の比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ1を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)