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1. (WO2011104794) 固体撮像装置及び駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104794    国際出願番号:    PCT/JP2010/006730
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 17.11.2010
IPC:
H04N 5/335 (2011.01), H04N 101/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HASEGAWA, Hikaru; (米国のみ).
ENDOH, Yasuyuki; (米国のみ).
TERANISHI, Nobukazu; (米国のみ)
発明者: HASEGAWA, Hikaru; .
ENDOH, Yasuyuki; .
TERANISHI, Nobukazu;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2010-043289 26.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND DRIVING METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ D'ATTAQUE
(JA) 固体撮像装置及び駆動方法
要約: front page image
(EN)A line scanning unit (102) changes the potential of a transfer signal from a second potential (V2) to a third potential (V3) before driving a transfer operation in which the signal charge is transferred from a photo diode to a floating diffusion by supplying a transfer pulse of a first potential (V1). The first potential (V1) is a positive potential which allows a transfer transistor to be on. The second potential (V2) is a potential in which a hole is pinned at the gate of the transfer transistor, and which allows the transfer transistor to be off. The third potential (V3) is a potential in which the hole is not pinned to the gate of the transfer transistor, which allows the transfer transistor to be off, and which is lower than the first potential (V1) and higher than the second potential (V2).
(FR)Selon l'invention, une unité de balayage de ligne (102) modifie le potentiel d'un signal de transfert d'un deuxième potentiel (V2) à un troisième potentiel (V3) avant de piloter une opération de transfert dans laquelle la charge de signal est transférée d'une photodiode à une diffusion flottante par fourniture d'une impulsion de transfert d'un premier potentiel (V1). Le premier potentiel (V1) est un potentiel positif qui permet à un transistor de transfert d'être passant. Le deuxième potentiel (V2) est un potentiel dans lequel un trou est piégé à la grille du transistor de transfert, et qui permet au transistor de transfert d'être bloqué. Le troisième potentiel (V3) est un potentiel dans lequel le trou n'est pas piégé à la grille du transistor de transfert, qui permet au transistor de transfert d'être bloqué, et qui est inférieur au premier potentiel (V1) et supérieur au deuxième potentiel (V2).
(JA) 行走査部(102)は、第1の電位V1の転送パルスの供給によってフォトダイオードからフローティングディフュージョンへの信号電荷を転送させる転送動作の駆動前に、転送信号の電位を第2の電位V2から第3の電位V3に変化させ、第1の電位V1は、転送トランジスタをオン状態にするための正の電位であり、第2の電位V2は、転送トランジスタのゲート下で正孔がピンニングし、かつ、転送トランジスタをオフ状態にするための電位であり、第3の電位V3は、転送トランジスタのゲート下で正孔がピンニングせず、かつ、転送トランジスタをオフ状態にするための、第1の電位V1より低く第2の電位V2より高い電位である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)