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1. (WO2011104773) 不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104773    国際出願番号:    PCT/JP2010/005107
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 18.08.2010
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUO, Ichirou; (米国のみ)
発明者: MATSUO, Ichirou;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-039685 25.02.2010 JP
発明の名称: (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a non-volatile semiconductor storage device containing a MISFET (16) disposed on a semiconductor substrate (2) of a first conductivity type, and a MIS capacitor (17) on a first well (3) of a second conductivity type. The MISFET (16) comprises a gate insulating film (4) disposed on the semiconductor substrate (2), a gate electrode (6a) disposed on the gate insulating film (4), and a source and drain impurity layer (7, 8) disposed on both sides of the gate electrode (6a). The MIS capacitor (17) comprises a capacitor insulating film (5) disposed on the first well (3) functioning as a first electrode, a second electrode (6b) disposed on the capacitor insulating film (5), and first impurity layers (11a, 11b) of a first conductivity type. A floating gate (6) is configured by electrically connecting the gate electrode (6a) and the second electrode (6b). The gate insulating film (4) and the capacitor insulating film (5) are formed from the same material and have the same thickness. The gate electrode (6a) and the second electrode (6b) are formed from the same conductive film. A second impurity layer (14) is formed on and over the boundary of the semiconductor substrate (2) and the first well (3).
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage non volatil à semi-conducteurs, contenant un MISFET (16) placé sur un substrat semi-conducteur (2) d'un premier type de conductivité et un condensateur MIS (17) sur un premier puits (3) d'un second type de conductivité. Le MISFET (16) comprend un film d'isolation de grille (4) placé sur le substrat semi-conducteur (2), une électrode de grille (6a) placée sur le film d'isolation de grille (4) et une couche d'impuretés de source et de drain (7, 8) disposée de part et d'autre de l'électrode de grille (6a). Le condensateur MIS (17) comprend un film d'isolation de condensateur (5) placé sur le premier puits (3), jouant le rôle de première électrode, une seconde électrode (6b) placée sur le film d'isolation de condensateur (5) et des premières couches d'impuretés (11a, 11b) d'un premier type de conductivité. Une grille flottante (6) est configurée par connexion électrique de l'électrode de grille (6a) et de la seconde électrode (6b). Le film d'isolation de grille (4) et le film d'isolation de condensateur (5) sont faits du même matériau et ont la même épaisseur. L'électrode de grille (6a) et la seconde électrode (6b) sont faites du même film conducteur. Une seconde couche d'impuretés (14) est formée sur le substrat semi-conducteur (2) et le premier puits (3) et au-dessus de la limite entre ceux-ci.
(JA) 不揮発性半導体記憶装置は、第1導電型の半導体基板(2)上のMISFET(16)と、第2導電型の第1ウェル(3)のMISキャパシタ(17)とを含む。MISFET(16)は、半導体基板(2)上のゲート絶縁膜(4)、その上のゲート電極(6a)、ゲート電極(6a)の両側のソース・ドレイン不純物層(7)及び(8)を含む。MISキャパシタ(17)は、第1電極としての第1ウェル(3)上の容量絶縁膜(5)、その上の第2電極(6b)、第1導電型の第1不純物層(11a)及び(11b)を含む。ゲート電極(6a)と第2電極(6b)とが電気的に接続されてフローティングゲート(6)を構成する。ゲート絶縁膜(4)と容量絶縁膜(5)とは材料及び膜厚が同一である。ゲート電極(6a)と第2電極(6b)とは同一の導電膜からなる。半導体基板(2)と第1ウェル(3)との境界を跨ぐ第2不純物層(14)が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)