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1. (WO2011104740) CVD処理方法およびその方法を使用するCVD装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/104740    国際出願番号:    PCT/JP2010/001168
国際公開日: 01.09.2011 国際出願日: 23.02.2010
IPC:
C23C 16/46 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
出願人: TEOSS CO., LTD. [JP/JP]; 9-15, Hon-cho 3-chome, Kokubunji-shi, Tokyo 1850012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MURAI, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONAKA, Toshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MURAI, Tsuyoshi; (JP).
KONAKA, Toshinori; (JP).
SUZUKI, Masayuki; (JP)
代理人: MORI, Yoshiaki; Room 911, Osaka-Ekimae Dai-4 Bldg., 11-4, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) CVD PROCESSING METHOD AND CVD DEVICE USING SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR CVD ET DISPOSITIF DE CVD UTILISANT LEDIT PROCÉDÉ
(JA) CVD処理方法およびその方法を使用するCVD装置
要約: front page image
(EN)The primary issue the disclosed CVD processing method addresses is avoiding the formation of undesired thin films on areas other than the surface of a silicon substrate. Said method comprises a first step, a second step, and a third step. In the first step, two ends of a silicon substrate (S) to undergo CVD processing are attached, respectively, to two electrode blocks (28a and 28b) that are provided, at a prescribed separation, in a CVD processing space (66) inside a case (14). In the second step, heat from an external heater (23) provided outside the case (14) increases the temperature of the silicon substrate (S), thereby decreasing the resistance thereof, and a current is then run through the silicon substrate (S), increasing the temperature thereof to a temperature at which CVD processing is possible. The external heater (23) is then shut off, decreasing the air temperature in the CVD processing space (66). In the third step, a feedstock gas (G) is introduced into the CVD processing space (66) via a feedstock gas introduction tube (18), forming a thin film on the surface of the silicon substrate (S).
(FR)Le procédé de traitement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) présenté ici a principalement pour objet d'éviter la formation de couches minces indésirables sur des zones autres que la surface d'un substrat de silicium. Ledit procédé comprend trois étapes. Au cours de la première, deux extrémités d'un substrat de silicium (S) devant subir un traitement par CVD sont respectivement fixées à deux blocs d'électrodes (28a et 28b) qui sont placés selon une distance prescrite dans un espace de traitement par CVD (66) à l'intérieur d'un boîtier (14). Au cours de la deuxième étape, la chaleur produite par un élément chauffant externe (23) situé en dehors du boîtier (14) augmente la température du substrat de silicium (S), ce qui diminue sa résistance. Un courant circule alors à travers le substrat de silicium (S), ce qui augmente sa température jusqu'à une température à laquelle un traitement par CVD est possible. L'élément chauffant externe (23) est alors arrêté, ce qui diminue la température de l'air dans l'espace de traitement par CVD (66). Au cours de la troisième étape, un gaz de charge (G) est introduit dans l'espace de traitement par CVD (66) par l'intermédiaire d'un tube d'introduction de gaz de charge (18), ce qui forme une couche mince sur la surface du substrat de silicium (S).
(JA) シリコン基板の表面以外の場所で不所望に薄膜が形成されるのを回避することを主な課題とするCVD処理方法を提供する。 ケース14内のCVD処理空間66において所定の間隔をあけて配設された一対の電極台28a、28bにCVD処理を施すシリコン基板Sの両端部をそれぞれ取り付ける第1ステップと、ケース14の外側に設けられた外部ヒータ23からの熱によってシリコン基板Sを昇温してシリコン基板Sの抵抗値を低下させた後、シリコン基板Sに通電することによってシリコン基板SをCVD処理可能温度まで昇温させるとともに、外部ヒータ23を停止してCVD処理空間66の雰囲気温度を低下させる第2ステップと、原料ガス導入管18を通してCVD処理空間66に原料ガスGを導入してシリコン基板Sの表面に薄膜を形成する第3ステップとでCVD処理方法を構成することにより上記課題を解決することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)