WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2011102278) 基板裏面平坦化方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/102278    国際出願番号:    PCT/JP2011/052796
国際公開日: 25.08.2011 国際出願日: 03.02.2011
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUI, Hidefumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORIYA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERASAWA, Nobutoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAUE, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUI, Hidefumi; (JP).
MORIYA, Tsuyoshi; (JP).
TERASAWA, Nobutoshi; (JP).
SAKAUE, Hiromitsu; (JP)
代理人: BECCHAKU, Shigehisa; Matsuoka Tamuracho Bldg. 7th Floor, 22-10, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
優先権情報:
2010-033483 18.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PLANARISING THE REAR SURFACE OF A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PLANARISATION DE FACE ARRIÈRE DE SUBSTRAT
(JA) 基板裏面平坦化方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method of planarising the rear surface of a substrate which is capable of removing fine defects without roughening the rear surface of the substrate. The position and size of a defect (S) on the rear surface of a wafer (W) are detected, and gas particle (28) clusters (29) created by selective gathering of a multitude of gas particles (28) are sprayed onto the defect the position and size of which have been detected, exposing a photoresist (30) applied to the surface of the wafer (W).
(FR)L'invention concerne un procédé de planarisation de face arrière de substrat permettant d'éliminer de très petites imperfections sans abîmer la face arrière d'un substrat. La position ou la dimension d'une imperfection (S) située sur la face arrière d'une tranche (W), est détectée. Un agrégat (29) de molécules de gaz (28) formé par la réunion d'une pluralité de molécules de gaz (28), est pulvérisé, de façon sélective, sur l'imperfection (S) dont la position ou la dimension a été détectée. Une réserve photosensible (30) appliquée sur la face avant de la tranche (W), est exposée à la lumière.
(JA) 基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。ウエハWの裏面における傷Sの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Sへ選択的に多数のガス分子28が集合して形成されたガス分子28のクラスター29が吹き付けられ、ウエハWの表面に塗布されたフォトレジスト30が露光される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)