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1. (WO2011102135) 半導体装置の製造方法及び製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/102135    国際出願番号:    PCT/JP2011/000887
国際公開日: 25.08.2011 国際出願日: 17.02.2011
予備審査請求日:    12.12.2011    
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OYAMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OYAMA, Kenichi; (JP)
代理人: SAKURA PATENT OFFICE, p.c.; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010046 (JP)
優先権情報:
2010-035295 19.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法及び製造装置
要約: front page image
(EN)In the provided method, a mask layer is formed via the following steps: a step in which a first photoresist layer is formed, exposed, and developed on a substrate, thereby forming a first photoresist pattern; a step in which the first photoresist pattern is made insoluble; a step in which a second photoresist layer is formed, exposed, and developed on top of the first photoresist pattern, thereby forming a second photoresist pattern that intersects the first photoresist pattern; a step in which the second photoresist pattern is made insoluble; and a step in which a third photoresist layer is formed, exposed, and developed on top of the first and second photoresist patterns, thereby forming a third photoresist pattern.
(FR)Selon le procédé fourni par la présente invention, une couche de masque est formée au moyen des étapes suivantes : une étape au cours de laquelle une première couche de résine photosensible est formée, exposée et développée sur un substrat, ce qui permet de former ainsi un premier motif de résine photosensible; une étape au cours de laquelle le premier motif de résine photosensible est traité de manière à être insoluble; une étape au cours de laquelle une deuxième couche de résine photosensible est formée, exposée et développée au-dessus du premier motif de résine photosensible, ce qui permet ainsi de former un deuxième motif de résine photosensible qui croise le premier motif de résine photosensible; une étape au cours de laquelle le deuxième motif de résine photosensible est traité de manière à être insoluble; et une étape au cours de laquelle une troisième couche de résine photosensible est formée, exposée et développée au-dessus du premier et du deuxième motif de résine photosensible, ce qui permet ainsi de former un troisième motif de résine photosensible.
(JA) 基板に第1フォトレジスト層を形成し、露光、現像して第1フォトレジストパターンを形成する工程と、第1フォトレジストパターンを不溶化する工程と、第1フォトレジストパターンの上に、第1フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、第1フォトレジストパターンと交差する第2フォトレジストパターンを形成する工程と、第2フォトレジストパターンを不溶化する工程と、第1フォトレジストパターン及び第2フォトレジストパターンの上に、第3フォトレジスト層を形成し、露光、現像して、第3フォトレジストパターンを形成する工程と、によってマスク層を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)