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1. (WO2011099476) 強磁性トンネル接合素子

Pub. No.:    WO/2011/099476    International Application No.:    PCT/JP2011/052624
Publication Date: 2011/08/18 International Filing Date: 2011/02/08
IPC: H01L 21/8246
G11C 11/15
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
ICHIMURA Masahiko
市村 雅彦
SUGANO Ryoko
菅野 量子
TAKAHASHI Hiromasa
高橋 宏昌
HAMADA Tomoyuki
浜田 智之
Inventors: ICHIMURA Masahiko
市村 雅彦
SUGANO Ryoko
菅野 量子
TAKAHASHI Hiromasa
高橋 宏昌
HAMADA Tomoyuki
浜田 智之
Title: 強磁性トンネル接合素子
Abstract:
 低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供するために、磁化固定層100と非磁性絶縁層110と磁化自由層120を有する強磁性トンネル接合素子10において、磁化自由層120は非磁性金属層221を挟んで強磁性層220、222を有し、2つの強磁性層220、222の磁化の方向が互いに平行である。2つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。