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1. (WO2011099221) 基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/099221    国際出願番号:    PCT/JP2010/072209
国際公開日: 18.08.2011 国際出願日: 10.12.2010
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONTAKE Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KYOUDA Hideharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONTAKE Kouichi; (JP).
KYOUDA Hideharu; (JP)
代理人: KATSUNUMA Hirohito; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2010-027003 09.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a substrate processing method for processing a substrate formed with a resist film, which involves exposure steps (S13, S15) in which the substrate is exposed to light several times, and a heat treatment step (S16) in which the substrate is subjected to heat treatment after the exposure steps (S13, S15) and before the substrate is subjected to developing treatment. In the heat treatment step (S16), the heating temperature for the heat treatment is adjusted on the basis of the amount of time that has elapsed from when the first light exposure ends to when the heat treatment begins.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de traitement de substrat permettant de traiter un substrat constitué d'une couche de résist, qui implique des étapes d'exposition (S13, S15) au cours desquelles le substrat est exposé à la lumière à plusieurs reprises et une étape de traitement thermique (S16) au cours de laquelle le substrat est soumis à un traitement thermique après les étapes d'exposition (S13, S15) et avant qu'il ne soit soumis à un traitement de développement. Au cours de l'étape de traitement thermique (S16), la température de chauffage du traitement thermique est réglée en fonction du temps qui s'est écoulé entre le moment où la première exposition lumineuse a pris fin et le moment où le traitement thermique a commencé.
(JA) レジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法において、基板を複数回露光する露光工程S13、S15と、露光工程S13、S15の後、基板を現像処理する前に、基板に加熱処理を行う加熱処理工程S16とを有する。加熱処理工程S16において、1回目の露光を終了してから加熱処理を開始するまでの経過時間に基づいて、加熱処理における加熱温度を補正する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)