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1. (WO2011099095) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/099095    国際出願番号:    PCT/JP2010/005081
国際公開日: 18.08.2011 国際出願日: 17.08.2010
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIYAMA, Yoshiya; (米国のみ).
FUJIMOTO, Hiromasa; (米国のみ).
ITOU, Satoru; (米国のみ).
AKAMATSU, Susumu; (米国のみ).
OHKAWA, Hiroshi; (米国のみ)
発明者: MORIYAMA, Yoshiya; .
FUJIMOTO, Hiromasa; .
ITOU, Satoru; .
AKAMATSU, Susumu; .
OHKAWA, Hiroshi;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-026686 09.02.2010 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The disclosed semiconductor device is provided with a first MIS transistor (Tr1) of a first conductivity type, and a second MIS transistor (Tr2) of a second conductivity type. The first and second MIS transistors are formed on first and second active regions (10a, 10b) that are surrounded by element-separating regions (11) on a semiconductor substrate (10). The first and second MIS transistors are provided with: a first and a second gate-insulating film (13A, 14B) that have a first and a second high-dielectric-constant film (13a, 13b); and a first and a second gate electrode (18A, 18B) formed on the first and second gate-insulating films. The first gate-insulating film (13A) and the second gate-insulating film (14B) are separated over a first element-separating region (11L) in the element-separating regions. Considering the distance between the end of the first active region and the end of the second active region that face each other sandwiching the first element-separating region to be s, and the amount of protrusion from the end of the first active region to the end of the first gate-insulating film positioned over the first element-separating region to be d1, the relational expression d1 < 0.5s holds.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui est équipé d'un premier transistor MIS (Tr1) doté d'un premier type de conductivité, et d'un second transistor MIS (Tr2) doté d'un second type de conductivité. Les premier et second transistors MIS sont formés sur des première et seconde zones actives (10a, 10b) qui sont entourées par des zones de séparation d'éléments (11) sur un substrat semi-conducteur (10). Les premier et second transistors MIS sont équipés : d'une première et d'une seconde couche isolante de grille (13A, 14B) qui sont pourvues d'une première et d'une seconde couche à constante diélectrique élevée (13a, 13b) ; et d'une première et d'une seconde électrode de grille (18A, 18B) formées sur les première et seconde couches isolantes de grille. La première couche isolante de grille (13A) et la seconde couche isolante de grille (14B) sont séparées sur une première zone de séparation d'éléments (11L) dans les zones de séparation d'éléments. Si l'on considère que la distance entre l'extrémité de la première zone active et l'extrémité de la seconde zone active qui se font face l'une à l'autre et qui prennent en sandwich la première zone de séparation d'éléments est représentée par s, et que la taille de la protubérance s'étendant de l'extrémité de la première zone active jusqu'à l'extrémité de la première couche isolante de grille placée sur la première zone de séparation d'éléments est représentée par d1, l'expression de relation d1 < 0,5s est vérifiée.
(JA) 半導体装置は、第1導電型の第1のMISトランジスタTr1と第2導電型の第2のMISトランジスタTr2とを備えている。第1,第2のMISトランジスタは、半導体基板10における素子分離領域11に囲まれた第1,第2の活性領域10a,10b上に形成され、第1,第2の高誘電率膜13a,13bを有する第1,第2のゲート絶縁膜13A,14Bと、第1,第2のゲート絶縁膜上に形成された第1,第2のゲート電極18A,18Bとを備えている。第1のゲート絶縁膜13Aと第2のゲート絶縁膜14Bとは、素子分離領域における第1の素子分離領域11L上において分離されている。第1の素子分離領域を挟んで対向する第1の活性領域の一端と第2の活性領域の一端との距離をsとし、第1の活性領域の一端から第1の素子分離領域上に位置する第1のゲート絶縁膜の一端までの突き出し量をd1としたとき、d1<0.5sの関係式が成り立っている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)