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1. (WO2011099089) 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/099089    国際出願番号:    PCT/JP2010/004772
国際公開日: 18.08.2011 国際出願日: 27.07.2010
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UTAKA, Koji; (米国のみ)
発明者: UTAKA, Koji;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2010-030076 15.02.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À L'AIDE DUDIT PROCÉDÉ
(JA) 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造装置
要約: front page image
(EN)The disclosed method for producing a semiconductor device uses a device that is for producing a semiconductor device and that has: a chemical preparation tank (24) that prepares a chemical; a chemical storage tank (28) that stores the prepared chemical; and a processing chamber (21) that processes a semiconductor substrate using the stored chemical. In the chemical preparation tank (24), an oxidizing agent and a complexing agent are mixed, preparing a first chemical. In the chemical preparation tank (24), the first chemical is activated. Next, in the chemical storage tank (28), a second chemical, which is a dilution of the first chemical, is prepared by means of mixing the activated first chemical and pure water, thus adjusting the concentration and temperature of the first chemical. Next, the second chemical is supplied to a semiconductor substrate introduced into the processing chamber (21).
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur, lequel procédé utilise un dispositif qui permet de produire un dispositif à semi-conducteur et qui est équipé : d'un réservoir de préparation de produit chimique (24) qui permet de préparer un produit chimique ; d'un réservoir de stockage de produit chimique (28) qui permet de stocker le produit chimique préparé ; et d'une chambre de traitement (21) qui permet de traiter un substrat semi-conducteur à l'aide du produit chimique stocké. Dans le réservoir de préparation de produit chimique (24), un oxydant et un complexant sont mélangés, ce qui permet de préparer un premier produit chimique. Dans le réservoir de préparation de produit chimique (24), le premier produit chimique est activé. Par la suite, dans le réservoir de stockage de produit chimique (28), un second produit chimique, qui est une dilution du premier produit chimique, est préparé en mélangeant le premier produit chimique activé et de l'eau douce, ce qui permet ainsi d'ajuster la concentration et la température du premier produit chimique. Par la suite, le second produit chimique est fourni à un substrat semi-conducteur introduit dans la chambre de traitement (21).
(JA) 半導体装置の製造方法は、薬液を調合する薬液調合槽(24)と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽(28)と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ(21)とを有する半導体装置の製造装置を用いる。薬液調合槽(24)において、酸化剤と錯化剤とを混合して第1の薬液を調合し、薬液調合槽(24)において、第1の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽(28)において、活性化された第1の薬液と純水とを混合し、第1の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第1の薬液を希釈した第2の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ(21)に投入された半導体基板に第2の薬液を供給する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)