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1. (WO2011096489) シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/096489    国際出願番号:    PCT/JP2011/052277
国際公開日: 11.08.2011 国際出願日: 03.02.2011
IPC:
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
出願人: SUMCO Corporation [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ONO Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJISE Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ONO Toshiaki; (JP).
FUJISE Jun; (JP)
代理人: WASHIZU Mitsuhiro; Daisan-Taiyo Bldg. 8th Floor 5-1, Ginza 1-Chome, Chuo-Ku Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2010-025487 08.02.2010 JP
2010-096505 19.04.2010 JP
発明の名称: (EN) SILICON WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) TRANCHE DE SILICIUM, PROCEDE POUR SA FABRICATION ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS
(JA) シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an epitaxial wafer wherein dislocation is prevented from being generated even if an LSA process is performed in the device process. The epitaxial wafer is provided with: a wafer main body (11) wherein the nitrogen concentration is set at 1×1012 atoms/cm3 or more or the specific resistance is set at 20 mΩ∙cm or less by boron doping; and an epitaxial layer (12), which is provided on the surface of the wafer main body (11). When the wafer main body (11) is heat-treated at 750°C for four hours, then heat-treated at 1000°C for four hours, a polyhedral oxygen precipitate is dominantly deposited to a board like oxygen precipitate. Since the board-like oxygen precipitate is not easily formed in the device process, the dislocation having the oxygen precipitate as a starting point can be prevented from being generated even if the LSA process is performed after the wafer is subjected to various heat histories in the device process.
(FR)L'invention porte sur une tranche épitaxiale, dans laquelle une dislocation est empêchée d'être générée même si un traitement d'accumulation limitée de charge d'espace (LSA) est effectué dans le traitement du dispositif. La tranche épitaxiale comporte : un corps principal de tranche (11), dans lequel la concentration en azote est établie à 1×1012 atomes/cm3 ou plus, ou la résistance spécifique est établie à 20 mΩ∙cm ou moins par dopage au bore ; et une couche épitaxiale (12), qui est disposée sur la surface du corps principal de tranche (11). Lorsque le corps principal de tranche (11) est traité thermiquement à 750°C pendant quatre heures, puis est traité thermiquement à 1000°C pendant quatre heures, un précipité d'oxygène polyhédrique est déposé de façon dominante sur un précipité d'oxygène en forme de plaque. Comme le précipité d'oxygène en forme de plaque n'est pas facilement formé dans le traitement du dispositif, la dislocation ayant le précipité d'oxygène comme point de départ peut être empêchée d'être générée même si le traitement LSA est effectué après que la tranche a été soumise à différents historiques thermiques dans le traitement du dispositif.
(JA)【課題】デバイスプロセスにてLSA処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なエピタキシャルウェーハを提供する。 【解決手段】窒素濃度が1×1012atoms/cm以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が20mΩ・cm以下に設定されたウェーハ本体11と、ウェーハ本体11の表面に設けられたエピタキシャル層12とを備える。ウェーハ本体11は、750℃で4時間の熱処理を行った後、1000℃で4時間の熱処理を行った場合に、板状酸素析出物よりも多面体酸素析出物が優勢に成長する。これにより、デバイスプロセスにおいて板状酸素析出物が形成されにくいことから、デバイスプロセスにて種々の熱履歴を経た後にLSA処理を行った場合であっても、酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)