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1. (WO2011096362) 半導体素子搭載部材とその製造方法ならびに半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/096362    国際出願番号:    PCT/JP2011/051925
国際公開日: 11.08.2011 国際出願日: 31.01.2011
IPC:
H01L 23/373 (2006.01)
出願人: A.L.M.T. Corp. [JP/JP]; 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKASHIMA, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOI, Yoshifumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMIJO, Eiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKASHIMA, Kouichi; (JP).
AOI, Yoshifumi; (JP).
KAMIJO, Eiji; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
2010-025480 08.02.2010 JP
発明の名称: (EN) MEMBER FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ORGANE POUR MONTAGE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体素子搭載部材とその製造方法ならびに半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a member for mounting a semiconductor element thereon, the member being obtained by infiltrating a matrix metal into a porous object (1) which comprises diamond particles (2) that have been sintered in the state of being in direct contact with one another and an infiltration aid layer (4) selectively formed only on the exposed surface of the individual diamond particles. Also disclosed is a process for producing the member, the process including a step in which a mixture of diamond particles, a powder of an element as a source of the infiltration aid layer, and a powder of ammonium chloride is compression-molded and then heated to 900ºC or higher to form the porous object. Furthermore disclosed is a semiconductor device which comprises the member for semiconductor element mounting and a semiconductor element mounted on the element mounting surface thereof through a bonding layer.
(FR)L'invention porte sur un organe permettant de monter un élément à semi-conducteur sur lui, l'organe étant obtenu par infiltration d'un métal de matrice dans un objet poreux (1) qui comprend des particules de diamant (2) qui ont été frittées dans l'état dans lequel elles sont en contact direct l'une avec l'autre et une couche d'aide à l'infiltration (4) sélectivement formée seulement sur la surface exposée des particules de diamant individuelles. L'invention porte également sur un procédé de production de l'organe, le procédé comprenant une étape à laquelle un mélange de particules de diamant, d'une poudre d'un élément servant de source de la couche d'aide à l'infiltration, et d'une poudre de chlorure d'ammonium est moulé par compression et ensuite chauffé jusqu'à 900°C ou plus afin de former l'objet poreux. L'invention porte en outre sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend l'organe pour montage d'élément à semi-conducteur et un élément à semi-conducteur monté sur la surface de montage d'élément de celui-ci par l'intermédiaire d'une couche de liaison.
(JA) 半導体素子搭載部材は、ダイヤモンド粒子2同士を直接に接触させた状態で焼結され、個々のダイヤモンド粒子の露出した表面にのみ選択的に溶浸補助層4が形成された多孔質体1中にマトリクス金属を溶浸した。製造方法は、ダイヤモンド粒子と溶浸補助層のもとになる元素の粉末と塩化アンモニウムの粉末の混合物を圧縮成形したのち900℃以上に加熱して前記多孔質体を形成する工程を含む。半導体装置は、前記半導体素子搭載部材の素子搭載面に、接合層を介して半導体素子を搭載した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)