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1. (WO2011093405) チップサイズパッケージの光半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/093405    国際出願番号:    PCT/JP2011/051655
国際公開日: 04.08.2011 国際出願日: 27.01.2011
IPC:
H01L 33/48 (2010.01)
出願人: MTEC Corporation [JP/JP]; 14-2, Shingyouda, Kumabari, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi 4801101 (JP) (米国を除く全ての指定国).
USAMI Tamotsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: USAMI Tamotsu; (JP)
代理人: KOJIMA Seiji; JINGUHIGASHI ATSUTA Bldg., 4F., 8-20, Jingu 3-chome, Atsuta-ku, Nagoya-shi, Aichi 4560031 (JP)
優先権情報:
2010-035380 01.02.2010 JP
2010-097380 03.04.2010 JP
2010-148257 13.06.2010 JP
発明の名称: (EN) CHIP-SIZE PACKAGED OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUE SOUS BOÎTIER DE LA TAILLE D'UNE PUCE
(JA) チップサイズパッケージの光半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a chip-size packaged optical semiconductor device, which is packaged in a state wherein a light emitting element is formed on a wafer. The light emitting element is provided with one or more light emitting sections that are formed of a semiconductor material, and the light emitting element is bonded, using a bonding material, to a package substrate having the size same as that of the light emitting element. The optical semiconductor device having a small heat stress is provided using the package substrate, which is composed of a thermoplastic resin or a metal, and the thermoplastic bonding material. The light emitting element is formed on a substrate composed of sapphire or silicon, and the substrate can be removed after being bonded to the package substrate. The light emitting section can be provided with a side plane reflecting mirror.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs optique sous boîtier de la taille d'une puce, qui est conditionné dans un état dans lequel un élément électroluminescent est formé sur une tranche. L'élément électroluminescent comporte une ou plusieurs sections électroluminescentes qui sont formées sur le matériau semi-conducteur et l'élément électroluminescent est lié, à l'aide d'un matériau de liaison, sur un substrat de boîtier ayant la même taille que l'élément électroluminescent. Le dispositif à semi-conducteurs optique qui a de faibles contraintes thermiques est obtenu à l'aide du substrat de boîtier, qui est fait d'une résine thermoplastique ou d'un métal et du matériau de liaison thermoplastique. L'élément électroluminescent est formé sur un substrat composé de saphir ou de silicium et le substrat peut être retiré après liaison sur le substrat du boîtier. La section électroluminescente peut comporter un miroir de réflexion dans le plan latéral.
(JA) ウエーハ上に発光素子が形成された状態でパッケージング可能なチップサイズパッケージの光半導体装置を提供する。発光素子は半導体により形成された1又は2以上の発光部を備え、接合材を用いて発光素子と同一サイズのパッケージ基板と貼り合わされる。熱可塑性樹脂や金属のパッケージ基板と熱可塑性の接合材とを使用し、熱ストレスの少ない光半導体装置が実現される。発光素子はサファイアの他シリコンの基板上に形成でき、その基板はパッケージ基板と貼り合わせた後に除去可能である。発光部に側面反射鏡を備えることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)