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1. (WO2011093360) 裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/093360    国際出願番号:    PCT/JP2011/051555
国際公開日: 04.08.2011 国際出願日: 27.01.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOKOSAWA, Yuhji; (米国のみ).
FUNAKOSHI, Yasushi; (米国のみ).
OKAMOTO, Satoshi; (米国のみ).
KURAHASHI, Takahisa; (米国のみ)
発明者: YOKOSAWA, Yuhji; .
FUNAKOSHI, Yasushi; .
OKAMOTO, Satoshi; .
KURAHASHI, Takahisa;
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2010-020029 01.02.2010 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF BACK-ELECTRODE-TYPE SOLAR CELL, BACK-ELECTRODE-TYPE SOLAR CELL, AND BACK-ELECTRODE-TYPE SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE DE TYPE À ÉLECTRODE ARRIÈRE, MODULE DE LADITE CELLULE SOLAIRE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE CELLULE SOLAIRE
(JA) 裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール
要約: front page image
(EN)A process for producing a back-electrode-type solar cell (1, 16), comprising a step of applying a solution (27) that comprises a compound containing an impurity of the same conductivity type as that of a silicon substrate (4), a titanium alkoxide and an alcohol onto the light-receiving surface of the silicon substrate (4) and heating the resulting product to form a light-receiving surface diffusion layer (6) and a anti-reflective film (7, 12), and a step of forming a light-receiving surface passivation film (8) on the light-receiving surface of the silicon substrate (4) by a heat treatment; a back-electrode-type solar cell (1, 16) provided with a light-receiving surface diffusion layer (6) and an anti-reflective film (7) that comprises titanium oxide containing an impurity of the same conductivity type as that of the silicon substrate (4) formed on the light-receiving surface diffusion layer (6); and a back-electrode-type solar cell module (35) equipped with the back-electrode-type solar cell (1, 16).
(FR)L'invention concerne, tout d'abord, un procédé de fabrication d'une cellule solaire de type à électrode arrière (1, 16) qui comprend : une étape de formation d'une couche (6) de diffusion de surface réceptrice de lumière et d'un revêtement antireflet (7, 12) par traitement thermique après application sur une surface réceptrice de lumière d'un substrat de silicium (4) d'une solution (27) comprenant un alcool, un alcoolate de titane et un composé qui comprend des impuretés de même type de conductivité que le substrat de silicium (4); et une étape de formation d'un revêtement (8) de passivation de surface réceptrice de lumière par traitement thermique sur la surface réceptrice de lumière du substrat de silicium (4). L'invention concerne, également, la cellule solaire de type à électrode arrière (1, 16) qui est équipée : de la couche (6) de diffusion de surface réceptrice de lumière, et du revêtement antireflet (7) constitué d'un oxyde de titane comprenant des impuretés de même type de conductivité que le substrat de silicium (4) situé sur la couche (6) de diffusion de surface réceptrice de lumière. Enfin, l'invention concerne un module (35) de cellule solaire de type à électrode arrière qui comprend cette cellule solaire de type à électrode arrière (1, 16).
(JA) シリコン基板(4)の受光面にシリコン基板(4)と同一の導電型となる不純物を含む化合物とチタンアルコキシドとアルコールとを含む溶液(27)を塗布した後に熱処理することにより受光面拡散層(6)と反射防止膜(7,12)とを形成する工程と、シリコン基板(4)の受光面上に熱処理により受光面パッシベーション膜(8)を形成する工程と、を含む裏面電極型太陽電池(1,16)の製造方法、受光面拡散層(6)と受光面拡散層(6)上のシリコン基板(4)と同一の導電型となる不純物を含む酸化チタンからなる反射防止膜(7)とを備えた裏面電極型太陽電池(1,16)、およびその裏面電極型太陽電池(1,16)を含む裏面電極型太陽電池モジュール(35)である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)