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1. (WO2011093252) 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ

Pub. No.:    WO/2011/093252    International Application No.:    PCT/JP2011/051264
Publication Date: 2011/08/04 International Filing Date: 2011/01/25
IPC: H01L 21/8246
H01F 10/16
H01F 10/30
H01L 27/105
H01L 29/82
H01L 43/08
H01L 43/10
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
IKEDA Shoji
池田 正二
OHNO Hideo
大野 英男
YAMAMOTO Hiroyuki
山本 浩之
ITO Kenchi
伊藤 顕知
TAKAHASHI Hiromasa
高橋 宏昌
Inventors: IKEDA Shoji
池田 正二
OHNO Hideo
大野 英男
YAMAMOTO Hiroyuki
山本 浩之
ITO Kenchi
伊藤 顕知
TAKAHASHI Hiromasa
高橋 宏昌
Title: 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
Abstract:
垂直磁化材料を適用し、TMR比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。 CoFeB層41/MgOバリア層10/CoFeB層42の外側に融点が1600℃以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層31,32を挿入する。中間層31,32の挿入により、アニール時におけるCoFeB層の結晶化をMgO(001)結晶側から進行させ、CoFeB層をbcc(001)で結晶配向させる。