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1. (WO2011092994) 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/092994    国際出願番号:    PCT/JP2010/073774
国際公開日: 04.08.2011 国際出願日: 28.12.2010
IPC:
H01L 33/14 (2010.01), G03F 7/075 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
出願人: JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITO, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMURA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HANAMURA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARIMURA, Yuichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ITO, Hirokazu; (JP).
ISHIKAWA, Satoshi; (JP).
YAMAMURA, Tetsuya; (JP).
HANAMURA, Masaaki; (JP).
ARIMURA, Yuichiro; (JP)
代理人: SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
優先権情報:
2010-017323 28.01.2010 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND PHOTOSENSITIVE COMPOSITION USED FOR SAID METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSITION PHOTOSENSIBLE UTILISÉE POUR LEDIT PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物
要約: front page image
(EN)Provided is a method for producing a semiconductor light-emitting element having a current blocking layer, wherein it is possible to form a current blocking layer of various shapes on various positions on the layer without involving an etching process. Also provided are a semiconductor light-emitting element obtained by means of said method for producing a semiconductor light-emitting element, and a photosensitive composition used in said method for producing a semiconductor light-emitting element. The method for producing a semiconductor light-emitting element having a current blocking layer involves forming a pattern which can be obtained from the photosensitive composition by means of the lithography method, and is characterized in that said pattern becomes the current blocking layer.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'un élément électroluminescent semi-conducteur doté d'une couche de blocage de courant et permettant de former une couche de blocage de courant de diverses formes sur diverses positions sur la couche sans utiliser de processus de gravure. La présente invention a également trait à un élément électroluminescent semi-conducteur obtenu au moyen dudit procédé de production d'un élément électroluminescent semi-conducteur et à une et composition photosensible utilisée dans ledit procédé de production d'un élément électroluminescent semi-conducteur. Le procédé de production d'un élément électroluminescent semi-conducteur doté d'une couche de blocage de courant comprend une étape consistant à former un motif qui peut être obtenu à partir de la composition photosensible au moyen du procédé de lithographie et est caractérisé en ce que ledit motif devient la couche de blocage de courant.
(JA) 本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、エッチングなどのプロセスを介さず、種々の位置や層上に種々の形状の電流阻止層を形成することが可能な、半導体発光素子の製造方法、当該半導体発光素子の製造方法によって得られる半導体発光素子、および当該半導体発光素子の製造方法に用いられる感光性組成物を提供することを目的とする。本発明は、電流阻止層を有する半導体発光素子の製造方法において、リソグラフィー法により感光性組成物から得られるパターンを形成し、該パターンを電流阻止層とすることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)