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1. (WO2011092821) 不揮発性半導体記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/092821    国際出願番号:    PCT/JP2010/051141
国際公開日: 04.08.2011 国際出願日: 28.01.2010
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 29/86 (2006.01), H01L 29/88 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YASUDA, Naoki [JP/JP]; (米国のみ).
MATSUSHITA, Daisuke [JP/JP]; (米国のみ).
MURAOKA, Koichi [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: YASUDA, Naoki; .
MATSUSHITA, Daisuke; .
MURAOKA, Koichi;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 不揮発性半導体記憶装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nonvolatile semiconductor storage device which comprises: a first wiring layer in which a plurality of first wiring lines are arranged parallel to each other; a second wiring layer in which a plurality of second wiring lines are arranged parallel to each other so as to intersect with the first wiring lines; and memory cell units which are respectively arranged at positions where a first wiring line and a second wiring line intersect with each other, each of said memory cell units being formed by laminating a variable resistance element and a diode element. The diode element is configured by laminating a first insulating film, a conductive fine particle layer containing conductive fine particles, and a second insulating film, sequentially from the first wiring layer side. The second insulating film has a physical thickness larger than the physical thickness of the first insulating film, and the second insulating film has a dielectric constant higher than the dielectric constant of the first insulating film.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage non volatil à semi-conducteurs équipé : d'une première couche de câblages dans laquelle une pluralité de premiers câblages sont disposés parallèlement les uns aux autres; d'une seconde couche de câblages dans laquelle une pluralité de seconds câblages sont disposés parallèlement les uns aux autres de manière à croiser les premiers câblages; et de parties cellule de mémoire disposées à chaque intersection de premiers et seconds câblage, et qui sont formées par stratification d'un élément à résistance variable et d'un élément diode. Cet élément diode présente une configuration en stratification d'un premier film d'isolation, d'une couche de microparticules conductrices contenant des microparticules conductrices, et d'un second film d'isolation, dans l'ordre à partir du côté première couche de câblages. L'épaisseur de film physique du second film d'isolation est plus importante que celle du premier film d'isolation, et la constante diélectrique du second film d'isolation est plus grande que celle du premier film d'isolation.
(JA) 複数の第1の配線が相互に平行配置された第1の配線層と、第1の配線と交差するように複数の第2の配線が相互に平行配置された第2の配線層と、第1の配線と第2の配線との交差部分にそれぞれ配置され、可変抵抗素子とダイオード素子とを積層して形成されたメモリセル部と、を備えた不揮発性半導体記憶装置であって、ダイオード素子は、第1の配線層側から順に第1の絶縁膜、導電性微粒子を含む導電性微粒子層、及び第2の絶縁膜を積層して構成され、第2の絶縁膜の物理膜厚が第1の絶縁膜の物理膜厚よりも厚く、且つ第2の絶縁膜の誘電率が第1の絶縁膜の誘電率よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)