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1. WO2011077933 - パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法

公開番号 WO/2011/077933
公開日 30.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071786
国際出願日 06.12.2010
予備審査請求日 15.03.2011
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C22C 1/10 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
1非鉄合金の製造
10非金属を含む合金
G11B 5/851 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
C22C 32/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
32その状態で加えたかまたは合金中で形成された酸化物,炭化物,ほう化物,窒化物,けい化物,またはその他の金属化合物,例.酸窒化物,硫化物,を5重量%以上50重量%未満含有する非鉄合金
CPC
B22F 3/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
22CASTING; POWDER METALLURGY
FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER
3Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; ; Presses and furnaces
24After-treatment of workpieces or articles
C22C 1/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
1Making alloys
10Alloys containing non-metals
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
G11B 5/851
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
851Coating a support with a magnetic layer by sputtering
出願人
  • JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小出 啓 KOIDE Kei [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 小出 啓 KOIDE Kei
代理人
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu
優先権情報
2009-29547525.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING TARGET WITH REDUCED PARTICLE GENERATION AND METHOD FOR PRODUCING THE SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE AVEC GÉNÉRATION RÉDUITE DE PARTICULES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a sputtering target with reduced particle generation, which is characterized by having a target surface wherein an intermetallic compound, an oxide, a carbide, a carbonitride and other non-ductile substance are present in a very ductile matrix phase in an amount of 1-50% by volume, said target surface having a defect area ratio of 0.5% or less. Also disclosed is a method for producing the sputtering target. The target surface, in which a plurality of non-ductile substances are present, is improved, and the sputtering target can be prevented from or suppressed in generation of nodules and particles during the sputtering. The surface processing method is capable of providing the sputtering target.
(FR)
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique avec génération réduite de particules qui est caractérisé en ce qu'elle présente une surface de cible dans laquelle un composé intermétallique, un oxyde, un carbure, un carbonitrure et une autre substance non ductile sont présents dans une phase matricielle très ductile à raison de 1-50% en volume, ladite surface de cible ayant un rapport d'aire de défauts de 0,5% ou moins. L'invention concerne également un procédé de production de la cible de pulvérisation. La surface de cible, dans laquelle une pluralité de substances non ductiles sont présentes, est améliorée et on peut empêcher la cible de pulvérisation de générer des nodules et des particules pendant la pulvérisation. Le procédé de traitement de surface permet ainsi de produire la cible de pulvérisation.
(JA)
延性に富むマトリックス相内に、金属間化合物、酸化物、炭化物、炭窒化物、その他の延性のない物質が体積比率で1~50%存在するターゲットの表面であって、ターゲット表面における欠陥の面積率が0.5%以下であることを特徴とするパーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、延性のない物質が多く存在するターゲット表面を改善し、スパッタリングの際にノジュールやパーティクルの発生を防止又は抑制できるスパッタリングターゲット及びその表面加工方法を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報