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1. WO2011077548 - 発光装置

公開番号 WO/2011/077548
公開日 30.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2009/071593
国際出願日 25.12.2009
IPC
H01L 33/50 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
50波長変換要素
CPC
H01L 33/501
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
H01L 33/505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
505characterised by the shape, e.g. plate or foil
H01L 33/507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
507the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
出願人
  • コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 Konica Minolta Advanced Layers, Inc. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鷲巣 貴志 WASHIZU, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鷲巣 貴志 WASHIZU, Takashi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE
(JA) 発光装置
要約
(EN)
Disclosed is a light-emitting device (100) which is provided with an LED chip (1) that emits light of a specific wavelength, and a wavelength conversion part that converts the light emitted from the LED chip (1) into light of a specific wavelength. The wavelength conversion part is composed of a ceramic layer (4) that is formed using a polysilazane, which contains a phosphor and inorganic fine particles having a smaller particle diameter than the phosphor, as a starting material.
(FR)
La présente invention se rapporte à un dispositif émettant de la lumière (100). Le dispositif selon l'invention comprend une puce de LED (1) qui émet une lumière d'une longueur d'onde spécifique, et une section de conversion de longueur d'onde qui convertit la lumière émise par la puce de LED (1) en une lumière d'une longueur d'onde spécifique. La section de conversion de longueur d'onde est composée d'une couche céramique (4) qui est formée à partir d'un polysilazane qui contient un phosphore et de fines particules inorganiques ayant un diamètre de particules inférieur à celui du phosphore, comme matière première.
(JA)
 発光装置100は、特定波長の光を出射するLEDチップ1と、LEDチップ1からの出射光を特定波長の光に変換する波長変換部位と、を有し、波長変換部位は、蛍光体と、蛍光体よりも粒径の小さな無機微粒子を含有するポリシラザンを原料として作成したセラミック層4から形成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報