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1. WO2011077541 - エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法

公開番号 WO/2011/077541
公開日 30.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2009/071541
国際出願日 25.12.2009
IPC
C30B 23/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
CPC
C30B 25/183
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
183being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
C30B 25/186
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
186being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
H01L 21/0243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
0243Surface structure
出願人
  • 創光科学株式会社 Soko Kagaku Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 天野 浩 AMANO, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 上山 智 KAMIYAMA, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 金 明姫 KIM, Myunghee [KR]/[JP] (UsOnly)
  • ペルノ シリル PERNOT, Cyril [FR]/[JP] (UsOnly)
  • 平野 光 HIRANO, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 天野 浩 AMANO, Hiroshi
  • 上山 智 KAMIYAMA, Satoshi
  • 金 明姫 KIM, Myunghee
  • ペルノ シリル PERNOT, Cyril
  • 平野 光 HIRANO, Akira
代理人
  • 政木 良文 MASAKI, Yoshifumi
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TEMPLATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) GABARIT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(JA) エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法
要約
(EN)
A surface of a sapphire (0001) substrate is processed to impart thereto recesses and protrusions so that the protrusions have flat tops and have a given plane-view pattern. The surface of the sapphire (0001) substrate to which the recesses and protrusions have been imparted is subjected to c-axis orientation control so that an AlN layer oriented in the c+ axis direction grows on the flat surface of the protrusion tops excluding the edges. An initial AlN layer is grown in such a film thickness that the recesses formed by the processing for imparting recesses and protrusions are not completely filled and the openings of the recesses are not closed. An AlxGayN (0001) layer (1≥x>0, x+y=1) is formed on the initial AlN layer by an epitaxial lateral overgrowth method to thereby fill the spaces located over the recesses with the AlxGayN (0001) layer laterally grown from over the tops of the protrusions. Thus, a template for epitaxial growth which has a dense and flat surface and a reduced threading dislocation density is produced.
(FR)
Selon la présente invention, une surface d'un substrat en saphir (0001) est traitée pour former sur cette dernière des creux et des saillies de telle sorte que les saillies aient des parties supérieures plates et un motif donné selon une vue en plan. La surface du substrat en saphir (0001) sur laquelle les creux et les saillies ont été formés, est soumise à une commande d'orientation de l'axe c de telle sorte qu'une couche d'AlN orientée dans la direction de l'axe c+ se développe sur la surface plate des parties supérieures des saillies à l'exception des bords. Une première couche d'AlN est développée sur une épaisseur de film de telle manière que les creux formés par le traitement pour former des creux et des saillies ne soient pas complètement remplis et que les ouvertures des creux ne soient pas fermées. Une couche d'AlxGayN (0001) (1 ≥ x > 0, x + y = 1) est formée sur la première couche d'AlN par un procédé de surcroissance épitaxiale latérale, ce qui permet de combler les espaces situés sur les creux avec la couche d'AlxGayN (0001) qui s'est développée latéralement depuis les parties supérieures des saillies. Ainsi, on fabrique un gabarit pour une croissance épitaxiale qui a une surface dense et plate et une densité de dislocation traversante réduite.
(JA)
 サファイア(0001)基板の表面を、凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように凹凸加工し、前記凹凸加工した前記サファイア(0001)基板面に、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にC+軸配向したAlN層が成長するようにC軸配向制御を行って、前記凹凸加工で形成された凹部を完全に充填せず、且つ、前記凹部の開口を閉塞しない膜厚の初期AlN層を成長させ、前記初期AlN層上に、横方向成長法を用いてAlGaN(0001)層(1≧x>0,x+y=1)をエピタキシャル成長させることにより、前記凹部の上方を、前記凸部頂部の上方から横方向成長した前記AlGaN(0001)層で覆い、緻密で平坦な表面の低貫通転位密度化されたエピタキシャル成長用テンプレートを作製する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報