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1. WO2011074494 - レジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2011/074494
公開日 23.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/072237
国際出願日 10.12.2010
IPC
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C08G 59/40 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
591分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物;エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物;エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物
18エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含む化合物を重合することにより得られる高分子化合物
40用いられた硬化剤に特徴のあるもの
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
C08G 59/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
02Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
12of polycarboxylic acids with epihalohydrins or precursors thereof
C08G 59/4223
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; ; e.g. general methods of curing
40characterised by the curing agents used
42Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
4223aromatic
C08L 63/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
63Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
出願人
  • 日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 遠藤 貴文 ENDO, Takafumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 何 邦慶 HO, Bang-Ching (UsOnly)
発明者
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru
  • 遠藤 貴文 ENDO, Takafumi
  • 何 邦慶 HO, Bang-Ching
代理人
  • 萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo
優先権情報
2009-28293814.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMATION OF RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION DE FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
Disclosed are: a composition for forming a resist underlayer film for electron beam or EUV lithography, which can be used in a device manufacture process that employs electron beam or EUV lithography, is rarely subjected to the adverse effects of electron beam or EUV, and is effective for the formation of a good resist pattern; and a resist pattern formation method using the composition. The composition for forming a resist underlayer film for electron beam or EUV lithography comprises a polymer having a repeating unit structure represented by formula (1) [wherein Q represents a group represented by formula (2) or (3) (wherein Q1 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a phenylene group, a naphthylene group, or an anthrylene group; and X1 represents a group represented by formula (4), (5) or (6))] and a solvent.
(FR)
L'invention concerne : une composition de formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie par faisceau d'électrons ou par EUV (ultraviolets extrêmes), qui peut être utilisée dans un procédé de fabrication d'un dispositif qui utilise la lithographie par faisceau d'électrons ou par EUV, qui est rarement soumise aux effets défavorables du faisceau d'électrons ou des EUV, et qui est efficace pour la formation d'un bon motif de réserve; et un procédé de formation d'un motif de réserve utilisant la composition. La composition de formation d'un film de sous-couche de réserve pour la lithographie par faisceau d'électrons ou par EUV comprend un polymère ayant une structure de motif répétitif représentée par la formule (1) [dans laquelle Q représente un groupe représenté par la formule (2) ou (3) (dans laquelle Q1 représente un groupe acyle ayant 1 à 10 atomes de carbone, un groupe phénylène, un groupe naphtylène ou un groupe anthrylène; et X1 représente un groupe représenté par la formule (4), (5) ou (6))] et un solvant.
(JA)
【課題】 電子線やEUVリソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられる、電子線、EUVによって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効な電子線又はEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、並びに該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成法を提供する。 【解決手段】 下記式(1): 〔Qは式(2)又は式(3): (式中Q1は炭素原子数1~10のアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、又はアントリレン基を表し、X1は式(4)、(5)又は式(6): を表す。)で表される基を表す。〕で表される繰り返しの単位構造を有するポリマー及び溶剤を含む電子線又はEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報