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1. WO2011074195 - 半導体基板、半導体デバイスおよび半導体基板の製造方法

公開番号 WO/2011/074195
公開日 23.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/007005
国際出願日 01.12.2010
IPC
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/0243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
0243Surface structure
H01L 21/0245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02441Group 14 semiconducting materials
0245Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
H01L 21/02639
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02636Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
02639Preparation of substrate for selective deposition
出願人
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山中 貞則 YAMANAKA, Sadanori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高田 朋幸 TAKADA, Tomoyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 秦 雅彦 HATA, Masahiko [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山中 貞則 YAMANAKA, Sadanori
  • 高田 朋幸 TAKADA, Tomoyuki
  • 秦 雅彦 HATA, Masahiko
代理人
  • 龍華国際特許業務法人 RYUKA IP Law Firm
優先権情報
2009-28427915.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体基板、半導体デバイスおよび半導体基板の製造方法
要約
(EN)
In order to improve surface flatness and increase the reliability of a semiconductor device in cases in which different types of semiconductor crystal layers are epitaxially grown upon a single silicon substrate, a semiconductor substrate is disclosed that is provided with a base substrate having, on the surface thereof, a silicon crystal in which a first depression and a second depression have been formed, a first Group IVB semiconductor crystal formed in an exposed manner in the interior of the first depression, a second Group IVB semiconductor crystal formed in the interior of the second depression, and a Group III-V compound semiconductor crystal formed in an exposed manner upon the second Group IVB semiconductor crystal in the interior of the second depression.
(FR)
Selon l'invention, afin d'améliorer la planéité de la surface et d'augmenter la fiabilité d'un dispositif semi-conducteur lorsqu'on obtient différents types de couches cristallines semi-conductrices par croissance épitaxiale sur un seul substrat de silicium, on présente un substrat semi-conducteur doté d'un substrat de base possédant sur sa surface un cristal de silicium dans lequel ont été formées un premier évidement et un second évidement, un premier cristal semi-conducteur du groupe IVB formé par exposition dans le premier évidement, un second cristal semi-conducteur du groupe IVB formé dans le second évidement et un cristal semi-conducteur composite du groupe III-IV formé par exposition au-dessus du second cristal semi-conducteur du groupe IVB dans le second évidement.
(JA)
 単一のシリコン基板上に種類の異なる半導体結晶層をエピタキシャル成長させる場合に、表面の平坦性を向上し、半導体デバイスの信頼性を高める。第1窪みおよび第2窪みが形成されたシリコン結晶を表面に有するベース基板と、第1窪みの内部に形成され、露出されている第1のIVB族半導体結晶と、第2窪みの内部に形成された第2のIVB族半導体結晶と、第2窪みの内部の第2のIVB族半導体結晶上に形成され、露出されているIII-V族化合物半導体結晶とを備える半導体基板を提供する。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報