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1. WO2011071178 - シリカガラスルツボ

公開番号 WO/2011/071178
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/072363
国際出願日 13.12.2010
IPC
C30B 15/10 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
10融液を支持するためのるつぼまたは容器
C03B 20/00 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Bガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
20石英または溶融シリカ物品の製造に特に適合したプロセス
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
CPC
C03B 19/095
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
19Other methods of shaping glass
09by fusing powdered glass in a shaping mould
095by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
C30B 15/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
10Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 35/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
002Crucibles or containers
Y02P 40/57
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
40Technologies relating to the processing of minerals
50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Y10T 117/1032
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
出願人
  • ジャパンスーパークォーツ株式会社 JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 須藤 俊明 SUDO, Toshiaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岸 弘史 KISHI, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 須藤 俊明 SUDO, Toshiaki
  • 岸 弘史 KISHI, Hiroshi
代理人
  • SK特許業務法人 SK INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
優先権情報
2009-28208211.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICA GLASS CRUCIBLE
(FR) CREUSET EN VERRE DE SILICE
(JA) シリカガラスルツボ
要約
(EN)
A silica glass crucible for pulling up a silicon single crystal, the silica glass crucible being provided with a reference point which enables the position of a defect of the silica glass crucible to be known accurately, thereby enabling the reference point to be utilized to specify the portion of the silicon single crystal in which a defect has occurred and to investigate the cause of the defect. A reference point which is used to specify the positional relationship thereof with a predetermined portion is provided at at least one location on one of an end section, the inner wall surface, and the outer wall surface of the silica glass crucible.
(FR)
Creuset en verre de silice destiné à tirer vers le haut un monocristal de silicium, le creuset en verre de silice étant doté d'un point de référence qui permet de connaître avec précision la position d'un défaut du creuset en verre de silice, permettant ainsi l'emploi du point de référence pour spécifier la partie du monocristal de silicium dans laquelle un défaut s'est produit et de rechercher la cause du défaut. Un point de référence qui est utilisé pour spécifier la relation de position de celui-ci avec une partie prédéterminée est défini en au moins un endroit sur une section d'extrémité, sur la surface de paroi intérieure ou sur la surface de paroi extérieure du creuset en verre de silice.
(JA)
 シリコン単結晶の引上げ用のシリカガラスルツボで、シリカガラスルツボの欠陥位置を正確に把握して、シリコン単結晶の欠陥発生部位の特定およびその発生原因の究明に利用できる基準点付のシリカガラスルツボを提供する。シリカガラスルツボに、そのルツボの端部、内壁面および外壁面の少なくとも1箇所に、所定部位との位置関係の特定に用いる基準点を設ける。
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