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1. WO2011071017 - ジアザボロール化合物、およびそれを含有した電界効果トランジスタ

公開番号 WO/2011/071017
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071828
国際出願日 06.12.2010
IPC
C07F 5/02 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
F炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
5周期表の第3族または第13族の元素を含有する化合物
02ホウ素化合物
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
H01L 51/40 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
C07F 5/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
5Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic System
02Boron compounds
H01L 51/008
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0077Coordination compounds, e.g. porphyrin
0079Metal complexes comprising a IIIB-metal (B, Al, Ga, In or TI), e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium (Gaq3)
008comprising boron
H01L 51/0558
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0558characterised by the channel of the transistor
出願人
  • 国立大学法人東京工業大学 Tokyo Institute of Technology [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 株式会社クラレ KURARAY CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山下 敬郎 YAMASHITA, Yoshiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤田 智博 FUJITA, Tomohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 杉岡 尚 SUGIOKA, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山下 敬郎 YAMASHITA, Yoshiro
  • 藤田 智博 FUJITA, Tomohiro
  • 杉岡 尚 SUGIOKA, Takashi
代理人
  • 小宮 良雄 KOMIYA, Yoshio
優先権情報
2009-27873308.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DIAZABOROLE COMPOUND AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR CONTAINING SAID COMPOUND
(FR) COMPOSÉ DIAZABOROLE ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP LE CONTENANT
(JA) ジアザボロール化合物、およびそれを含有した電界効果トランジスタ
要約
(EN)
Provided is an n-type organic field-effect transistor that exhibits high electron mobility and a high current on/off ratio, wherein an organic semiconductor layer can be easily manufactured, by coating or printing, from a diazaborole compound that is useful in an organic semiconductor material and an organic semiconductor material containing said diazaborole compound. Said diazaborole compound is represented by chemical formula (1) (in which Ar1 and Ar2, which may be the same or different, represent aryl groups that may have substituents). The provided n-type organic field-effect transistor has an organic semiconductor layer, which forms a current path between a source electrode and a drain electrode, and a gate electrode, which controls the current in said current path, on top of a substrate and separated by an insulator film. The organic semiconductor layer contains the provided diazaborole compound.
(FR)
L'invention concerne un transistor à effet de champ organique de type n qui présente une grande mobilité électronique et un rapport élevé de courant marche/arrêt, une couche semi-conductrice organique pouvant être facilement fabriquée, par l'application en revêtement ou une impression, d'un composé diazaborole qui est utile dans un matériau semi-conducteur organique. L'invention concerne également un matériau semi-conducteur organique contenant ledit composé diazaborole. Ledit composé diazaborole est représenté par la formule chimique (1) (dans laquelle Ar1 et Ar2, qui peuvent être identiques ou différents, représentent des groupes aryle qui peuvent avoir des substituants). Le transistor à effet de champ organique de type n selon l'invention présente une couche semi-conductrice organique, qui forme un trajet de courant entre une électrode de source et une électrode déversoir, une électrode de grille, qui commande le courant dans ledit trajet de courant, sur la partie supérieure d'un substrat et séparée par un film isolant. La couche semi-conductrice organique contient le composé diazaborole selon l'invention.
(JA)
 有機半導体材料に有用であるジアザボロール化合物、およびそれを含有している有機半導体材料から塗布法や印刷法により簡便に有機半導体層を製膜でき、高い電子移動度と電流オン/オフ比とを示すn型有機電界効果トランジスタを提供する。 ジアザボロール化合物は、下記化学式(1)(式中、ArおよびArは、同一または異なり、置換基を有していてもよいアリール基である)で表されるものである。n型有機電界効果トランジスタは、基板上で、ソース電極およびドレイン電極の間の電流路を形成している有機半導体層と、前記電流路の電流を制御しているゲート電極とが、絶縁体層で隔離されており、前記有機半導体層に、このジアザボロール化合物を含有しているものである。
他の公開
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