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1. WO2011070981 - 半導体装置およびその製造方法

公開番号 WO/2011/070981
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071728
国際出願日 03.12.2010
IPC
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G02F 1/1368 2006.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362アクティブマトリックスセル
1368スイッチング素子が三端子の素子であるもの
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
G02F 1/13458
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
13458Terminal pads
G02F 1/136213
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
H01L 27/1214
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
1244for preventing breakage, peeling or short circuiting
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 水野 一七江 MIZUNO Hinae (UsOnly)
  • 近間 義雅 CHIKAMA Yoshimasa (UsOnly)
  • 錦 博彦 NISHIKI Hirohiko (UsOnly)
  • 太田 純史 OHTA Yoshifumi (UsOnly)
  • 原 猛 HARA Takeshi (UsOnly)
  • 会田 哲也 AITA Tetsuya (UsOnly)
  • 鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko (UsOnly)
  • 竹井 美智子 TAKEI Michiko (UsOnly)
  • 中川 興史 NAKAGAWA Okifumi (UsOnly)
  • 春本 祥征 HARUMOTO Yoshiyuki (UsOnly)
発明者
  • 近間 義雅 CHIKAMA Yoshimasa
  • 錦 博彦 NISHIKI Hirohiko
  • 太田 純史 OHTA Yoshifumi
  • 原 猛 HARA Takeshi
  • 会田 哲也 AITA Tetsuya
  • 鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko
  • 竹井 美智子 TAKEI Michiko
  • 中川 興史 NAKAGAWA Okifumi
  • 春本 祥征 HARUMOTO Yoshiyuki
  • 水野 裕二 MIZUNO Yuuji
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
2009-27982609.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約
(EN)
The disclosed semiconductor device has: a thin film transistor provided with gate wiring (3a), a first insulating film (5), an island-shaped oxide semiconductor layer (7a), a second insulating film (9), source wiring (13as), a drain electrode (13ad), and a protective film; and a terminal section provided with a first connector (3c) formed from the same conductive film as the gate wiring, a second connector (13c) formed from the same conductive film as the source wiring and the drain electrode, and a third connector (19c) formed on the second connector. The second connector contacts the first connector within a first opening (11c) provided to the first and second insulating films. The third connector (19c) contacts the second connector within a second opening (17c) provided to the protective film. The second connector (13c) covers the end surfaces of the first and second insulating films at the first opening (11c), and does not cover the end surface of the protective film (15) at the second opening (17c). As a result, the tapered shape of the contact hole of the terminal section can be controlled with high accuracy.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : un transistor à couches minces contenant un câblage de grille (3a), un premier film isolant (5), une couche semi-conductrice à oxyde en forme d'îlot (7a), un second film isolant (9), un câblage source (13as), une électrode de drain (13ad) et un film protecteur; et une section de terminal contenant un premier connecteur (3c) formé à partir du même film conducteur que le câblage de grille, un deuxième connecteur (13c) formé à partir du même film conducteur que le câblage source et l'électrode de drain, et un troisième connecteur (19c) formé sur le deuxième connecteur. Le deuxième connecteur entre en contact avec le premier connecteur au sein d'une première ouverture (11c) prévue pour le premier et le second film isolant. Le troisième connecteur (19c) entre en contact avec le deuxième connecteur au sein d'une seconde ouverture (17c) prévue pour le film protecteur. Le deuxième connecteur (13c) recouvre les surfaces d'extrémité du premier et du second film isolant au niveau de la première ouverture (11c), et ne recouvre pas la surface d'extrémité du film protecteur (15) au niveau de la seconde ouverture (17c). Par conséquent, la forme conique de l'orifice de contact de la section de terminal peut être contrôlée avec une grande précision.
(JA)
 半導体装置は、ゲート配線(3a)、第1絶縁膜(5)、島状の酸化物半導体層(7a)、第2絶縁膜(9)、ソース配線(13as)、ドレイン電極(13ad)および保護膜を備えた薄膜トランジスタと、ゲート配線と同一の導電膜から形成された第1接続部(3c)、ソース配線およびドレイン電極と同一の導電膜から形成された第2接続部(13c)および第2接続部上に形成された第3接続部(19c)を備えた端子部とを有し、第2接続部は、第1および第2絶縁膜に設けられた第1開口部(11c)内で第1接続部と接し、第3接続部(19c)は、保護膜に設けられた第2開口部(17c)内で第2接続部と接し、第2接続部(13c)は、第1開口部(11c)における第1および第2絶縁膜の端面を覆い、かつ、第2開口部(17c)における保護膜(15)の端面を覆っていない。これにより、端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御できる。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報