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1. WO2011070860 - 磁性材スパッタリングターゲット

公開番号 WO/2011/070860
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/068552
国際出願日 21.10.2010
予備審査請求日 04.02.2011
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C22C 19/03 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
19ニッケルまたはコバルトを基とする合金
03ニッケルを基とする合金
C22C 19/07 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
19ニッケルまたはコバルトを基とする合金
07コバルトを基とする合金
C22C 38/00 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
38鉄合金,例.合金鋼
G11B 5/851 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
CPC
C22C 19/03
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
19Alloys based on nickel or cobalt
03based on nickel
C22C 19/07
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
19Alloys based on nickel or cobalt
07based on cobalt
C22C 38/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
38Ferrous alloys, e.g. steel alloys
002containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
C22C 38/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
38Ferrous alloys, e.g. steel alloys
08containing nickel
C22C 38/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
38Ferrous alloys, e.g. steel alloys
10containing cobalt
C22C 38/105
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
38Ferrous alloys, e.g. steel alloys
10containing cobalt
105containing Co and Ni
出願人
  • JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi
代理人
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu
優先権情報
2009-28154011.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE MATÉRIAU MAGNÉTIQUE
(JA) 磁性材スパッタリングターゲット
要約
(EN)
Disclosed is a magnetic material sputtering target which contains B and is obtained by a melting/casting method. The magnetic material sputtering target is characterized by having a B content of 10-50 at% (inclusive) with the balance made up of one or more elements selected from among Co, Fe and Ni. The sputtering target contains little gaseous impurities and is free from breaking, cracking and the like, while being suppressed in segregation of the main constituent elements. Consequently, when used in a magnetron sputtering apparatus that is equipped with a DC power supply, the sputtering target achieves significant effects such that generation of particles is suppressed and the yield of thin film formation is improved.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique de matériau magnétique qui contient du B et qui est obtenue par un procédé de fusion/coulée. La cible de pulvérisation cathodique de matériau magnétique est caractérisée en ce qu'elle possède une teneur en B de 10 à 50 % atomiques (inclus), le complément étant constitué d'au moins un des éléments suivants : Co, Fe et Ni. La cible de pulvérisation cathodique contient peu d'impuretés gazeuses et est exempte de cassure, fissure et similaire, tout en permettant de supprimer la ségrégation des principaux éléments constitutifs. En conséquence, lorsqu'elle est utilisée dans un appareil de pulvérisation cathodique magnétron qui est équipé d'une alimentation en courant continu, la cible de pulvérisation cathodique atteint des effets significatifs de sorte que la génération de particules est supprimée et que le rendement de formation du film mince est amélioré.
(JA)
溶解・鋳造法より得たBを含有するスパッタリングターゲットであって、Bの含有量が10at%以上、50at%以下であり、残余がCo、Fe、Niの元素から選択した一種以上であることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。本発明の方法により、ガス成分不純物が少なく、割れ・亀裂等がなく、主成分元素の偏析がすくないスパッタリングターゲットとなり、その結果、DC電源を備えたマグネトロンスパッタ装置でスパッタする際にパーティクルの発生が抑制され、薄膜作製時の歩留まりが向上するという著しい効果がある。
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