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1. WO2011070699 - 半導体ウェーハの研磨方法

公開番号 WO/2011/070699
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/006026
国際出願日 08.10.2010
IPC
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
B24B 37/24 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
11ラップ工具
20平面を加工するためのラッピングパッド
24パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
B24B 57/02 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
57研削,研磨またはラッピング剤の供給,適用,分級または再生のための装置
02流体状,噴霧状,粉状,または液体研削,研磨またはラップ剤を供給するもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 寺川 良也 TERAKAWA, Ryoya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 青木 健司 AOKI, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 寺川 良也 TERAKAWA, Ryoya
  • 青木 健司 AOKI, Kenji
代理人
  • 森 道雄 MORI, Michio
優先権情報
2009-28175711.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの研磨方法
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor wafer polishing method comprising pressing a semiconductor wafer held by a workpiece carrier and a polishing cloth equipped by a table against each other, and in this state, supplying slurry onto the polishing cloth while rotating the workpiece carrier and the table so as to polish the semiconductor wafer, said method involving supplying slurry, during the above polishing, to an area where that portion of the polishing cloth which was compressed by being pressed against the semiconductor in conjunction with the rotation of the table has recovered, and causing the cloth to efficiently absorb the slurry. As a result, it is possible to suppress degradation of the surface roughness of the area in the vicinity of the center of the resulting semiconductor wafer. If the semiconductor wafer polishing method is applied to the manufacture of a semiconductor wafer, it is possible to obtain a wafer having improved surface roughness and flatness, and contribute to the improvement of the quality of a large-diameter wafer.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de polissage de tranche de semi-conducteur, comprenant la mise en pression l'une contre l'autre d'une tranche de semi-conducteur tenue par un porte-pièce et d'une toile à polir équipée d'une table et, dans cet état, l'amenée d'une suspension sur la toile à polir en même temps que l'on fait tourner le porte-pièce et la table, de manière à polir la tranche de semi-conducteur, ledit procédé mettant en jeu l'amenée de la suspension, pendant le polissage précité, à une région où la partie de la toile à polir qui a été comprimée par mise en pression contre le semi-conducteur en combinaison avec la rotation de la table a repris sa forme, et le fait d'amener la toile à absorber efficacement la suspension. En conséquence, il est possible de supprimer la dégradation de la rugosité de surface de la région située dans le voisinage du centre de la tranche de semi-conducteur résultante. Si le procédé de polissage de tranche de semi-conducteur est appliqué à la fabrication d'une tranche de semi-conducteur, il est possible d'obtenir une tranche ayant une rugosité de surface et une planéité améliorées, et de contribuer à l'amélioration de la qualité d'une tranche de grand diamètre.
(JA)
半導体ウェーハの研磨方法において、ワークキャリアにより保持された半導体ウェーハと、テーブルが備える研磨クロスとを押し付けた状態で、スラリーを研磨クロス上に供給しつつ、ワークキャリアとテーブルとを回転させて半導体ウェーハを研磨する際、テーブルの回転にともなう半導体ウェーハとの押し付けにより圧縮した研磨クロスが回復する領域にスラリーを供給し、研磨クロスに効率よく吸収させることにより、得られる半導体ウェーハの中心付近の表面粗さが悪化するのを抑制できる。このような本発明の半導体ウェーハの研磨方法を、半導体ウェーハの製造に適用すれば、表面粗さおよび平坦度が向上したウェーハを得ることができ、大口径ウェーハの品質向上に大きく寄与することができる。
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