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1. WO2011070626 - 半導体基板の接合方法およびMEMSデバイス

公開番号 WO/2011/070626
公開日 16.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2009/006787
国際出願日 11.12.2009
IPC
B23K 20/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
B81B 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Bマイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
1可動の,または可撓性の要素がない装置,例.マイクロ毛細管装置
B81C 3/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Cマイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置
3個別に処理された構成部品からの,装置またはシステムの組立
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
CPC
B23K 20/023
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
20Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
02by means of a press ; ; Diffusion bonding
023Thermo-compression bonding
B23K 20/16
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
20Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
16with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
B23K 20/233
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
20Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
22taking account of the properties of the materials to be welded
233without ferrous layer
B23K 2101/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2101Articles made by soldering, welding or cutting
36Electric or electronic devices
40Semiconductor devices
B81B 2201/0235
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0228Inertial sensors
0235Accelerometers
B81C 1/00269
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
出願人
  • パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 PIONEER MICRO TECHNOLOGY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 野田直樹 NODA, Naoki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 横内敏夫 YOKOUCHI, Toshio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石杜昌弘 ISHIMORI, Masahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 野田直樹 NODA, Naoki
  • 横内敏夫 YOKOUCHI, Toshio
  • 石杜昌弘 ISHIMORI, Masahiro
代理人
  • 落合稔 OCHIAI, Minoru
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR BONDING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND MEMS DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE COLLAGE DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS ET DISPOSITIF MEMS
(JA) 半導体基板の接合方法およびMEMSデバイス
要約
(EN)
Disclosed is a method for bonding semiconductor substrates, wherein an eutectic alloy does run off the bonding surfaces during the eutectic bonding. Also disclosed is an MEMS device which is obtained by bonding semiconductor substrates by this method. Specifically, a substrate (11) and a substrate (21) are eutectically bonded with each other by pressing and heating the substrate (11) and the substrate (21), while interposing an aluminum-containing layer (31) and a germanium layer (32) between a bonding part (30a) of the substrate (11) and a bonding part (30b) of the substrate (21) in such a manner that the aluminum-containing layer (31) and the germanium layer (32) overlap each other, with an outer edge (32a) of the germanium layer (32) being inwardly set back from the an outer edge (31a) of the aluminum-containing layer (31).
(FR)
L'invention concerne un procédé de collage de substrats semiconducteurs, un alliage eutectique débordant des surfaces de collage au cours du collage eutectique. L'invention concerne également un dispositif MEMS obtenu en collant des substrats semiconducteurs par ce procédé. Plus précisément, un substrat (11) et un substrat (21) sont collés l'un à l'autre de façon eutectique en pressant et en chauffant le substrat (11) et le substrat (21), tout en interposant une couche (31) contenant de l'aluminium et une couche (32) de germanium entre une partie (30a) de collage du substrat (11) et une partie (30b) de collage du substrat (21) de telle manière que la couche (31) contenant de l'aluminium et la couche (32) de germanium se chevauchent, un bord extérieur (32a) de la couche (32) de germanium se trouvant en-deçà d'un bord extérieur (31a) de la couche (31) contenant de l'aluminium.
(JA)
 本発明は、共晶接合において、共晶合金が接合面からはみ出すことのない半導体基板の接合方法およびこれにより接合して成るMEMSデバイスを提供することを課題とする。この課題の解決手段として、本発明は、基板11の接合部30aと基板21の接合部30bとの間に、含アルミニウム層31とゲルマニウム層32とを重合状態で、且つ含アルミニウム層31の外端31aに対しゲルマニウム層32の外端32aが内側にセットバックしている状態で、加圧・加熱して、基板11と基板12とを共晶接合する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報