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1. WO2011068197 - 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法

公開番号 WO/2011/068197
公開日 09.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071668
国際出願日 03.12.2010
IPC
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
H01L 31/076
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
075the potential barriers being only of the PIN type
076Multiple junction or tandem solar cells
Y02E 10/548
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
548Amorphous silicon PV cells
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, Inc. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 今北 健一 IMAKITA Kenichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 内田 寛人 UCHIDA Hiroto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 浅利 伸 ASARI Shin [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 橋本 征典 HASHIMOTO Masanori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 佐見津 祥二 SAMITSU Shoji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中村 久三 NAKAMURA Kyuzo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 斎藤 一也 SAITO Kazuya [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 今北 健一 IMAKITA Kenichi
  • 内田 寛人 UCHIDA Hiroto
  • 浅利 伸 ASARI Shin
  • 橋本 征典 HASHIMOTO Masanori
  • 佐見津 祥二 SAMITSU Shoji
  • 中村 久三 NAKAMURA Kyuzo
  • 斎藤 一也 SAITO Kazuya
代理人
  • 志賀 正武 SHIGA Masatake
優先権情報
2009-27632004.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
要約
(EN)
The disclosed photoelectric conversion device contains: a substrate (1); a transparent conductive film (2) formed on the substrate (1); a first photoelectric conversion unit (3) formed on the transparent conductive film (2); and a second photoelectric conversion unit (4) formed on the first photoelectric conversion unit (3). The first photoelectric conversion unit (3) contains: a first p-type semiconductor layer (31); a first i-type semiconductor layer (32) comprising an amorphous silicon thin film; a first n-type semiconductor layer (33) comprising a crystalline silicon thin film; and a buffer layer (35) which is an n-type semiconductor comprising an amorphous silicon thin film, and which is disposed between the first i-type semiconductor layer (32) and the first n-type semiconductor layer (33).
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique contenant : un substrat (1) ; un film conducteur transparent (2) formé sur le substrat (1) ; une première unité de conversion photoélectrique (3) formée sur le film conducteur transparent (2) ; et une seconde unité de conversion photoélectrique (4) formée sur la première unité de conversion photoélectrique (3). La première unité de conversion photoélectrique (3) contient : une couche de semi-conducteur de type p (31) ; une première couche de semi-conducteur de type i (32) comprenant une couche mince de silicium amorphe ; une première couche de semi-conducteur de type n (33) comprenant une couche mince de silicium cristallin ; et une couche tampon (35) qui est un semi-conducteur de type n comprenant une couche mince de silicium amorphe et qui est déposée entre la première couche de semi-conducteur de type i (32) et la première couche de semi-conducteur de type n (33).
(JA)
 この光電変換装置は、基板(1)と、前記基板(1)上に形成された透明導電膜(2)と、第一p型半導体層(31),アモルファスのシリコン系薄膜からなる第一i型半導体層(32),結晶質のシリコン系薄膜からなる第一n型半導体層(33),及びアモルファスのシリコン系薄膜からなるn型半導体であって前記第一i型半導体層(32)と前記第一n型半導体層(33)との間に配置されたバッファ層(35)を含み、前記透明導電膜(2)上に形成された第一光電変換ユニット(3)と、前記第一光電変換ユニット(3)上に形成された第二光電変換ユニット(4)とを含む。
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