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1. WO2011068109 - 記憶装置、およびメモリコントローラ

公開番号 WO/2011/068109
公開日 09.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071429
国際出願日 01.12.2010
IPC
G06F 12/00 2006.01
G物理学
06計算;計数
F電気的デジタルデータ処理
12メモリシステムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング
G06F 12/02 2006.01
G物理学
06計算;計数
F電気的デジタルデータ処理
12メモリシステムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング
02アドレシングまたはアロケーション;リロケーション
G06F 12/16 2006.01
G物理学
06計算;計数
F電気的デジタルデータ処理
12メモリシステムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング
16メモリ内容の破壊に対する保護
CPC
G06F 12/0246
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
023Free address space management
0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
0246in block erasable memory, e.g. flash memory
G06F 2212/7203
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2212Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
72Details relating to flash memory management
7203Temporary buffering, e.g. using volatile buffer or dedicated buffer blocks
出願人
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 西 昌能 NISHI Masataka [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤田 良 FUJITA Ryo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 稲田 遼一 INADA Ryoichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西村 卓真 NISHIMURA Takuma [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 白石 雅裕 SHIRAISHI Masahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松田 光司 MATSUDA Koji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 西 昌能 NISHI Masataka
  • 藤田 良 FUJITA Ryo
  • 稲田 遼一 INADA Ryoichi
  • 西村 卓真 NISHIMURA Takuma
  • 白石 雅裕 SHIRAISHI Masahiro
  • 松田 光司 MATSUDA Koji
代理人
  • 磯野 道造 ISONO Michizo
優先権情報
2009-27504803.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) STORAGE DEVICE AND MEMORY CONTROLLER
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE ET CONTRÔLEUR DE MÉMOIRE
(JA) 記憶装置、およびメモリコントローラ
要約
(EN)
Disclosed is a storage device using non-volatile semiconductor memory that achieves high performance and long life for the device. When managing the non-volatile semiconductor memory (2), physical blocks are divided into three types: scratch blocks (22), data blocks (23), and deleted blocks (24). Data writing from a host device (3) is performed on the scratch blocks. When the number of empty pages within a scratch block becomes less than a predetermined number or no longer exists, the block is treated thereafter as a data block, and one of the deleted blocks is newly assigned as a scratch block. If there are insufficient deleted blocks, a block with relatively less valid data is selected from among the data blocks. After copying all valid data included in the block to a scratch block, the block is deleted, and thus a deleted block is acquired.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif de stockage utilisant une mémoire à semi-conducteur non volatile qui atteint de hautes performances et une longue durée de vie pour le dispositif. Lors d'une gestion de la mémoire à semi-conducteur non volatile (2), des blocs physiques sont divisés en trois types : les blocs de travail (22), les blocs de données (23) et les blocs supprimés (24). Une écriture de données à partir d'un dispositif hôte (3) est réalisée sur les blocs de travail. Lorsque le nombre de pages vides dans un bloc de travail devient inférieur à un nombre prédéterminé ou lorsqu'il n'en existe plus, le bloc est ensuite traité comme un bloc de données, et l'un des blocs supprimés est nouvellement attribué comme bloc de travail. S'il n'existe pas suffisamment de blocs supprimés, un bloc ayant des données relativement moins valides est sélectionné parmi les blocs de données. Après copie de toutes les données valides incluses dans le bloc vers un bloc de travail, le bloc est supprimé et un bloc supprimé est ainsi acquis.
(JA)
不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置において、装置の高性能化および長寿命化を実現する。不揮発性半導体メモリ(2)を管理する際に、物理ブロックをスクラッチブロック(22)、データブロック(23)、消去済みブロック(24)の3種類に分け、ホスト装置(3)からのデータ書き込みはスクラッチブロックに対して行う。スクラッチブロック内の空きページが所定の数よりも少なくなった場合あるいは無くなった場合には、このブロックを以降はデータブロックとして扱い、消去済みブロックの中から1つを新たにスクラッチブロックとして割り当てる。消去済みブロックが不足した場合は、データブロックの中から有効なデータの少ないブロックを選択し、当該ブロックに含まれるすべての有効なデータをスクラッチブロックにコピーした後、ブロック消去を行い、消去済みブロックを得る。
他の公開
DE112010004667
GB1209881.0
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