処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2011065506 - プラズマ処理装置

公開番号 WO/2011/065506
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071171
国際出願日 26.11.2010
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
C23C 16/507 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
505高周波放電によるもの
507外部電極,例.トンネル型のリアクトル,を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
C23C 16/4401
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
C23C 16/507
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
505using radio frequency discharges
507using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
出願人
  • 株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 森川 泰宏 MORIKAWA, Yasuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 森川 泰宏 MORIKAWA, Yasuhiro
代理人
  • 恩田 博宣 ONDA, Hironori
優先権情報
2009-27068027.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSOR
(FR) PROCESSEUR AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約
(EN)
Disclosed is a plasma processor (10) which includes a plurality of high-frequency antennas (30) positioned above the top section (12) of a vacuum vessel (11) and formed in a spiral shape. Each of the plurality of high-frequency antennas has an input end (31) and an output end (32), and the antennas are electrically connected in parallel. At least one input engaging part (33b) capable of engaging with the input end of each high-frequency antenna is used to vary the number of high-frequency antennas. In addition, at least one output engaging part (34b) capable of engaging with the output end of each high-frequency antenna is used to vary the number of high-frequency antennas. One input terminal (33) may be connected to the input end of at least one of the plurality of high-frequency antennas, and one output terminal (34) may be connected to the output end of at least one of the plurality of high-frequency antennas. A high-frequency power source (40) supplies high-frequency power by way of a matching circuit (41) to the input terminals (33) and generates plasma inside of the vacuum vessel.
(FR)
L'invention concerne un processeur au plasma (10) comprenant une pluralité d'antennes haute fréquence (30) placées au-dessus de la partie supérieure (12) d'une enceinte à vide (11) et présentant une forme de spirale. Chacune des antennes haute fréquence comprend une extrémité d'entrée (31) et une extrémité de sortie (32) et les antennes sont connectées électriquement en parallèle. Au moins une partie de contact d'entrée (33b) apte à venir en contact avec l'extrémité d'entrée de chaque antenne haute fréquence sert à modifier le nombre d'antennes haute fréquence. En outre, au moins une partie de contact de sortie (34b) apte à venir en contact avec l'extrémité de sortie de chaque antenne haute fréquence sert à modifier le nombre d'antennes haute fréquence. Une borne d'entrée (33) peut être connectée à au moins une extrémité d'entrée de la pluralité d'antennes haute fréquence et une borne de sortie (34) peut être connectée à au moins une extrémité de sortie de la pluralité d'antennes haute fréquence. Une source d'alimentation haute fréquence (40) achemine une puissance haute fréquence par un circuit d'adaptation (41) vers les bornes d'entrée (33) et produit du plasma à l'intérieur de l'enceinte à vide.
(JA)
 プラズマ処理装置(10)は、真空容器(11)の天部(12)上方に位置し、渦巻き形状をなす複数の高周波アンテナ(30)を含む。複数の高周波アンテナは、入力端部(31)と出力端部(32)とをそれぞれ有し、電気的に並列に接続される。各高周波アンテナの入力端部と係合可能な少なくとも1つの入力係合部(33b)が、高周波アンテナの個数を変更するために使用される。また、各高周波アンテナの出力端部と係合可能な少なくとも1つの出力係合部(34b)が、高周波アンテナの個数を変更するために使用される。複数の高周波アンテナの少なくとも1つの入力端部には1つの入力端子(33)が接続可能であり、複数の高周波アンテナの少なくとも1つの出力端部には1つの出力端子(34)が接続可能である。高周波電源(40)は整合回路(41)を介して入力端子(33)に高周波電力を供給して真空容器の内部にプラズマを生成させる。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報