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1. WO2011065436 - 窒化物結晶の製造方法、製造容器および部材

公開番号 WO/2011/065436
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/071041
国際出願日 25.11.2010
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C30B 7/10 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
7常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長,例.水溶液
10圧力を加えるもの,例.水熱法
CPC
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
C30B 7/105
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
10by application of pressure, e.g. hydrothermal processes
105using ammonia as solvent, i.e. ammonothermal processes
出願人
  • 三菱化学株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 三川 豊 MIKAWA Yutaka (UsOnly)
  • 清見 真紀子 KIYOMI Makiko (UsOnly)
  • 鏡谷 勇二 KAGAMITANI Yuji (UsOnly)
  • 石黒 徹 ISHIGURO Toru (UsOnly)
  • 山村 美彦 YAMAMURA Yoshihiko (UsOnly)
発明者
  • 三川 豊 MIKAWA Yutaka
  • 清見 真紀子 KIYOMI Makiko
  • 鏡谷 勇二 KAGAMITANI Yuji
  • 石黒 徹 ISHIGURO Toru
  • 山村 美彦 YAMAMURA Yoshihiko
代理人
  • 濱田 百合子 HAMADA Yuriko
優先権情報
2009-26977727.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTALS, AND PRODUCTION VESSEL AND MEMBERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE NITRURE, RÉCIPIENT ET ÉLÉMENTS DE PRODUCTION ASSOCIÉS
(JA) 窒化物結晶の製造方法、製造容器および部材
要約
(EN)
Provided is a method for producing nitride crystals with which it is possible to inhibit precipitation of nitride crystals in parts other than on seed crystals and improve the efficiency of producing gallium nitride single crystals grown on seed crystals. When nitride crystals are produced by the ammonothermal method in a vessel holding a solution containing a mineralizer, the portions of the surfaces of the vessel and the members inside the vessel in contact with the solution are at least partially formed from a metal or alloy including one or more atoms selected from the group comprising tantalum (Ta), tungsten (W), and titanium (Ti), and the surface roughness (Ra) is less than 1.80 µm.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de cristaux de nitrure permettant d'inhiber la précipitation de cristaux de nitrure ailleurs que sur des germes cristallins, et d'améliorer l'efficacité de production de monocristaux de nitrure de gallium mis en croissance sur des germes cristallins. Lorsque des cristaux de nitrure sont produits par la méthode ammonothermique dans un récipient contenant une solution à base de minéralisateur, les parties des surfaces du récipient et les éléments à l'intérieur du récipient en contact avec la solution sont au moins partiellement fabriqués à partir d'un métal ou d'un alliage contenant au moins un atome sélectionné dans le groupe constitué par le tantale (Ta), le tungstène (W) et le titane (Ti), et la rugosité de surface (Ra) est inférieure à 1,80 µm.
(JA)
 種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。鉱化剤を含有する溶液を入れた容器内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器および容器内に設置される部材の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ta)、タングステン(W)およびチタン(Ti)からなる群より選択される1種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ(Ra)が1.80μm未満となるようにする。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報