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1. WO2011065323 - 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ

公開番号 WO/2011/065323
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/070791
国際出願日 22.11.2010
IPC
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 43/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10材料の選択
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1655
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1655Bit-line or column circuits
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
出願人
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 本庄 弘明 HONJOU Hiroaki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 本庄 弘明 HONJOU Hiroaki
代理人
  • 工藤 実 KUDOH Minoru
優先権情報
2009-27009327.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子、および磁気ランダムアクセスメモリ
要約
(EN)
Disclosed is a magnetoresistive effect element, which comprises: a magnetization free layer that has a reversible magnetization; an insulating layer that is arranged adjacent to the magnetization free layer; and a magnetization fixed layer that is arranged adjacent to the insulating layer on the opposite side of the magnetization free layer and has a magnetization which is generally fixed in one direction. The magnetization free layer has a first magnetization free layer that is adjacent to the insulating layer and is composed of Fe or Co, and a second magnetization free layer that is adjacent to the first magnetization free layer and is composed of NiFeB.
(FR)
L'invention concerne un élément à effet magnétorésistif qui comprend : une couche de magnétisation libre qui présente une magnétisation réversible ; une couche isolante qui est adjacente à la couche de magnétisation libre ; et une couche de magnétisation fixe qui est adjacente à la couche isolante du côté opposé à la couche de magnétisation libre et dont la magnétisation est généralement fixée dans une direction. La couche de magnétisation libre comporte une première couche de magnétisation libre qui est adjacente à la couche isolante et est composée de Fe ou de Co, et une seconde couche de magnétisation libre qui est adjacente à la première couche de magnétisation libre et est composée de NiFeB.
(JA)
 磁気抵抗効果素子は、反転可能な磁化を有する磁化自由層と、磁化自由層に隣接する絶縁層と、絶縁層の磁化自由層と反対側に隣接し、磁化がほぼ一方向に固定された磁化固定層とを具備する。磁化自由層は、絶縁層に隣接し、Fe又はCoから成り第1磁化自由層と、第1磁化自由層に隣接し、NiFeBから成り第2磁化自由層とを備える。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報