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1. WO2011065286 - 距離センサ及び距離画像センサ

公開番号 WO/2011/065286
公開日 03.06.2011
国際出願番号 PCT/JP2010/070601
国際出願日 18.11.2010
IPC
G01S 17/89 2006.01
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
88特定の応用に特に適合したライダー方式
89マッピングまたはイメージング用のもの
G01S 17/10 2006.01
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
17電波以外の電磁波の反射または再放射を使用する方式,例.ライダー方式
02電波以外の電磁波の反射を使用する方式
06対象物の位置データを決定する方式
08距離のみを測定するためのもの
10断続パルス変調波を送信するもの
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
G01S 17/10
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
06Systems determining position data of a target
08for measuring distance only
10using transmission of interrupted pulse-modulated waves
G01S 17/42
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
02Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
06Systems determining position data of a target
42Simultaneous measurement of distance and other co-ordinates
G01S 17/89
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
88Lidar systems specially adapted for specific applications
89for mapping or imaging
G01S 17/894
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
17Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
88Lidar systems specially adapted for specific applications
89for mapping or imaging
8943D imaging with simultaneous measurement of time-of-flight at a 2D array of receiver pixels, e.g. time-of-flight cameras or flash lidar
G01S 7/4863
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
7Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
48of systems according to group G01S17/00
483Details of pulse systems
486Receivers
4861Circuits for detection, sampling, integration or read-out
4863Detector arrays, e.g. charge-transfer gates
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木 高志 SUZUKI Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 間瀬 光人 MASE Mitsuhito [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鈴木 高志 SUZUKI Takashi
  • 間瀬 光人 MASE Mitsuhito
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
優先権情報
2009-26656224.11.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RANGE SENSOR AND RANGE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DISTANCE ET CAPTEUR D'IMAGE À DISTANCE
(JA) 距離センサ及び距離画像センサ
要約
(EN)
Disclosed is a range image sensor which has improved aperture ratio and is capable of obtaining a range image that has a good S/N ratio. Specifically disclosed is a range image sensor (RS) , which comprises an imaging region that is composed of a plurality of one-dimensionally arranged units and provided on a semiconductor substrate (1), and which obtains a range image based on the charge amounts outputted from the units. Each unit comprises: a photosensitive region; two pairs of third semiconductor regions (9a, 9b) which face each other with a photogate electrode (PG) interposed therebetween in the facing direction of first and second long sides (L1, L2); first and second transfer electrodes (TX1, TX2) which are respectively provided between the third semiconductor regions (9a, 9b) and the photogate electrode (PG); fourth semiconductor regions (11a, 11b) which face each other with the photogate electrode (PG) interposed therebetween in the facing direction of the first and second long sides (L1, L2) and are respectively arranged between the third semiconductor regions (9a, 9b); and third transfer electrodes (TX3) which are respectively provided between the fourth semiconductor regions (11a, 11b) and the photogate electrode (PG).
(FR)
L'invention porte sur un capteur d'image à distance, ayant un taux d'ouverture amélioré et apte à obtenir une image à distance qui a un bon rapport signal/bruit. De façon spécifique, l'invention porte sur un capteur d'image à distance (RS), qui comprend une région de réalisation d'image qui est constituée par une pluralité d'unités disposées de façon unidimensionnelle et disposées sur un substrat semi-conducteur (1), et qui obtient une image à distance en fonction des quantités de charge délivrées en sortie des unités. Chaque unité comprend : une région photosensible ; deux paires de troisièmes régions semi-conductrices (9a, 9b) qui se font mutuellement face, l'électrode de photo-grille (PG) étant interposée entre celles-ci dans la direction de vis-à-vis de première et deuxième longueurs (L1, L2) ; des première et deuxième électrodes de transfert (TX1, TX2) qui sont respectivement disposées entre les troisièmes régions semi-conductrices (9a, 9b) et l'électrode de photo-grille (PG) ; des quatrièmes régions semi-conductrices (11a, 11b) qui se font mutuellement face avec une électrode de photo-grille (PG) interposée entre celles-ci dans la direction de vis-à-vis des première et deuxième longueurs (L1, L2) et qui sont respectivement disposées entre les troisièmes régions semi-conductrices (9a, 9b) ; et des troisièmes électrodes de transfert (TX3) qui sont respectivement disposées entre les quatrièmes régions semi-conductrices (11a, 11b) et l'électrode de photo-grille (PG).
(JA)
 開口率の向上を図ることができ、S/N比の良い距離画像を得ることができる距離画像センサを提供する。距離画像センサRSは、1次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板1上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る。1つのユニットは、光感応領域と、第1及び第2長辺L1,L2の対向方向でフォトゲート電極PGを挟んで対向する二対の第3半導体領域9a,9bと、第3半導体領域9a,9bとフォトゲート電極PGとの間に設けられる第1及び第2転送電極TX1,TX2と、第1及び第2長辺L1,L2の対向方向でフォトゲート電極PGを挟んで対向し且つ第3半導体領域9a,9bの間に配置される第4半導体領域11a,11bと、第4半導体領域11a,11bとフォトゲート電極PGとの間に設けられる第3転送電極TX3とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報